原文標題： 請勿刪減或自創標題，違者4-1處分，此行請刪除 三星實現900層V-NAND原型測試，可望重塑快閃競爭格局 原文連結： 網址超過一行，請用縮網址，連結不能點擊者板規 1-2-2 處分。 https://wallstreetcn.com/articles/3773082 發布時間： 請勿張貼超過3天新聞 05-25 20:14 記者署名： 卜淑情 原文內容： 三星電子在NAND快閃記憶體堆疊技術領域取得重大突破，可望重新確立其在全球記憶體晶 片市場的技術主導地位。 根據韓國電子新聞報道，三星電子近期成功實現全球首個900層級V-NAND原型系統，並驗 證了正常的單元運作特性。這項成果意味著三星在研發階段一舉跨越至900層高地，而目 前量產市場的最高紀錄仍停留在321層。消息公佈後，業界普遍認為三星已在下一代NAND 技術競爭中搶佔有利位置，同時為應對中國廠商的價格與產能攻勢構築起更高的技術壁壘 。 三星不僅在量產端推進第十代V-NAND（V10，400層以上）的準備工作，同時在研發端實現 跨代式領先，雙線並進的佈局有助於鞏固其在AI伺服器及端側AI儲存市場的長期競爭力。 雙片鍵合突破物理極限 三星此次900層V-NAND的實現，依託的是"單元多重鍵合"（Cell Multi Bonding，CMB）技 術－將兩片各450層的單元晶圓接合為一體，從而在單一晶片尺寸內實現容量的大幅躍升 。 NAND快閃記憶體的核心邏輯在於垂直堆疊：層數越高，單位面積內可儲存的資料量越大， 功耗效率也隨之提升。此特性使高層數NAND成為AI伺服器、資料中心SSD及智慧型手機等 高容量、高效率應用場景的關鍵元件。 然而，堆疊層數的提升並非沒有代價。隨著層數增加，晶圓翹曲（Warpage）和對準偏差 （Misalignment）成為限制良率的核心難題。三星透過引入高精度上部卡盤（Upper Chuck）設計解決了翹曲問題，並開發出獨特的"新覆蓋校正"（Overlay Correction）技 術克服對準誤差。此外，新型位元線（BL）及字線（WL）結構的引入，使晶片在降低功耗 的同時實現了尺寸的進一步縮減。 三星方面表示，已對此原型"驗證了正常的單元運作特性"，強調這一成果超越了理論層面 的堆疊演示，達到了實際可運行的技術水準。 SK海力士領先量產 在目前量產市場，SK海力士以321層4D NAND保持最高層數紀錄，領先三星的現有量產產品 。三星正加速推動V10代產品的量產準備，以期在商業化層面縮小差距。 面對競爭對手的威脅，三星900層原型的戰略價值不僅在於技術本身，更在於其釋放的市 場訊號。 有業界人士指出，"900層NAND技術並非簡單的300層三倍疊加，而是對堆疊工藝範式的根 本性變革。這向全球客戶傳遞出三星仍是技術領導者的明確信息，同時將對中國企業的產 能與價格攻勢形成限制效應。" 從3D商用化到堆疊範式演進 三星於2013年率先實現3D V-NAND商業化，此後持續推動製程迭代以突破堆疊極限。 早期採用的"單一堆疊"方式透過一次性蝕刻微孔完成堆疊，但隨著層數提升，晶圓變形與 對準困難等物理瓶頸日益凸顯。 CMB技術的引入，標誌著三星在工藝路線上完成了從單一 堆疊向多片鍵合的範式轉變，為邁向1000層NAND時代奠定了技術基礎。 心得/評論： 三星迎來重大突破 實現全球首個900層級V-NAND原型系統 這代表著儲存技術進入晶圓鍵合時代 三星電子目前股價 301000 +2.91% --

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