作者sovereignty ()
看板Electronics
標題Re: [問題]為何BJT的ε比 MOS的ε 大5倍左右?
時間Mon Jan 9 03:51:34 2006
※ 引述《deathcustom (每天都是七彩繽紛)》之銘言：
: ※ 引述《cj6gji (胡說)》之銘言：
: : as title~
: : 小弟剛學電子學
: : 其實也學一學期了~~
: : 可是聽到朋友說這個問題
: : 自己也不了解~
: : 希望好心人幫忙解答一下~~
: : --------------------補充一下------------------------
: : MOS的 εox =3.9ε0 =3.9x8.854x10^-12 F/m
: : 而BJT又比它大約5倍~~
: 不是吧
: MOS的是 ε(SiO2) = 11.5 ε0
: 至於BJT......抱歉我跟她不是很熟Orz
: 去看Sze吧
: 或者其他固態電子學、固態物理的書吧
εr (relative permittivity，相對導電係數) 是常數啊，
同一種物質的εr是固定的，
沒有什麼 5 倍的說法吧，
很可能你要問的不是這個。
3.9 是 SiO2 (oxide) 的介電常數
11.9 (或11.5，不同書的不太一樣) 是 Si 的介電常數
這都是定值。
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