※ 引述《woko (孤.獨.一.痕)》之銘言： : 最近在研究bandgap的設計, : 發現好像無論用哪種架構都必須掛上被動元件的電阻, : 但就我之前得到的資訊, : 在IC中用被動元件的方式所實現的電阻是不穩定的(易受製程變異影響), : 請問這個觀念是正確的嗎? : 另外有沒有將這個被動電阻改用主動元件實現的相關研究呢(比如說要打的關鍵字)? : 感謝~~ 幫補一下推文的東西。 Bandgap的電壓當然可以trimming，你說的用電或光的燒熔那是其中一種方式。 你也可以做一個小小的mini array(在flash memory中稱之為 option bit) 藉由調整option bit，可以將bandgap的電壓予以調整(電阻分壓)。 好比你可以用 option<1,2>來獲得 00, 01, 10 11共四組不同的電壓。 因為你是調整分壓電阻的比率而不是調整電阻的絕對值，所以出來的電壓很準。 至於製程變異...嗯，看你的bandgap輸出的精確度是要到多少。要是它的輸出大約在 幾百mV，那其實是沒差...要是想控制在幾十mV或是數個mV，那就要非常小心。 (製程做好一點，layout match畫好一點，circuit design就能經輕鬆一點 魚幫水，水幫魚咩...)再者，使用主動元件得要考慮慮到耗電。 就個人經驗而言，以目前接觸過的電路，是還沒用到主動元件啦...精確度約在25mV上下。 耗電約數十uA。 --

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