作者STARSUCKS (星沙克)
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標題[問題] 為何ESD電路的元件崩潰電壓越高越不好?
時間Wed Dec 25 22:00:56 2013
今天聽一個講座的時候 演講人有提到
ESD保護電路的元件崩潰電壓越高是越不好的
小弟之前對ESD電路這部分沒什麼接觸 也不是EE背景的....
不過還是上網查了一下一些基本的概念
ESD保護電路大概長下圖這樣 (畫的很破請見諒)
想了一陣子還是想不通為何崩潰電壓會影響ESD保護電路的性能
請各位強者幫忙解答 感恩
VDD
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___ △
lPADl___l____內部電路
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VSS
PS.三角形代表PN二極體
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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 1.169.172.158
1F:推 owenroy:因為可能會變成你的電路去保護esd的電路... 12/25 22:18
2F:推 ionix:Diode不崩潰就沒法保護電路呀! 12/25 23:32
3F:→ STARSUCKS:所以正電荷來說 是下方逆偏崩潰打開將電流導到VSS嗎? 12/25 23:37
4F:→ STARSUCKS:為何上方順偏路徑比較早開啟 電流卻不會走順偏路徑呢? 12/25 23:38
5F:推 BuBuChen:你有加power clamp circuit,就會往上走到VDD,再經 12/25 23:58
6F:→ BuBuChen:power clamp circuit到VSS了 12/25 23:59
7F:推 XOGC:積體電路與封裝電磁相容技術研討會嗎?XDDDDDD 12/27 02:27