作者h94jo3cl4 (安卓)
看板Electronics
標題[問題] OP設計問題PM和I
時間Thu Apr 17 14:33:42 2014
各位版上的前輩好，
我現在在設計一個OP
架構是選two-stage OP
這一個架構UGB固定下，PM是由第二級input的gm決定
可是我在設計時發現一個問題：
在OP的偏壓決定後(該顆MOS的vds由Vcm決定，vgs則由第一級的輸出電壓決定)，
我發現很難設計gm，
當gm達到PM的要求時，
電流會遠大於SR的要求，
請問在這個狀況下要怎麼設計讓gm提高電流不增加呢？
謝謝各位前輩們！
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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 140.116.20.33
※ 文章網址: http://webptt.com/m.aspx?n=bbs/Electronics/M.1397716425.A.FBD.html
1F：→ da5n299o:subthreshold region? 04/17 16:07
d大您好
沒有操作在subthreshold region，
都還在sat.
※ 編輯: h94jo3cl4 (140.116.20.33), 04/17/2014 16:17:16
2F：推 bear1991:d大的意思應該是電流固定的情況MOS工作在sub region的gm 04/17 18:18
3F：→ bear1991:會比sat. region大吧?你在做高類作業吼~~ 04/17 18:19
可是在sub region製程檔的參數不是沒有很準嗎？
請問實際上會這麼設計嗎？
4F：推 obov:老實說我覺得你用第二級gm去弄pm 很糟 04/17 23:35
5F：→ obov:我猜你的compensation根本沒做好 04/17 23:36
因為我的設計流程是先透過SR決定電流，
用UGB和PM分別去估兩級輸入的gm
再用gm/id method掃發現要這個gm下I會很大...
所以才再想有沒有辦法在gm相同下把I變小
6F：推 jamtu:遠大於SR的要求 不就過關了嗎 04/18 01:01
7F：推 obov:老闆會跟你說 電流不用錢喔? 04/18 03:33
8F：→ jamtu:反正學校咩 04/18 15:20
的確是過關了XD
不過我想把電流做小一點，畢竟SR不需要這麼大
謝謝各位前輩們！
※ 編輯: h94jo3cl4 (113.128.166.49), 04/18/2014 22:39:59
9F：推 obov:老師應該要說 耗電少的有加分憂 揪咪 04/18 22:38
其實我沒有修這堂課，只是無聊拿別人的作業來做看看...
※ 編輯: h94jo3cl4 (113.128.166.49), 04/18/2014 22:41:58
10F：→ pgcuhm:用SR 去估input電流呢? 04/19 17:07
11F：推 jamtu:你就把W/L弄到很大gm/id就會大了 04/21 00:23
12F：→ jamtu:只是gm/id不會無限大 卡在20幾就上不去了 04/21 00:24
這麼做就可以了！ 謝謝前輩！
只是我另外發現這麼做的話輸出級的ro也會跟著增加，
所以gain也跟著變大了，
請問是不是沒辦法把gain降低來減少功耗呢？(因為電流都被SR卡死了)
※ 編輯: h94jo3cl4 (140.116.20.223), 04/21/2014 22:09:11
13F：推 jamtu:DC gain跟功耗 無任何關係 你可以再check一下 04/22 08:59
14F：→ jamtu:DC gain大小不影響高頻的表現 04/22 09:00
所以DC gain很高就讓他很高沒關係囉(感覺有點浪費
想說是不是可以把DC gain降低一點點來增加別的效能
謝謝前輩！
※ 編輯: h94jo3cl4 (140.116.20.223), 04/22/2014 15:03:06