作者pwenlin (費里曼)
看板Electronics
標題[討論] 28nm 與0.13um 類比設計考量
時間Fri Apr 5 18:29:47 2019
請問各位前輩28nm 與0.13um 類比設計考量 有何不同，28nm上面必須特別注意什麼 感謝
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1F：→ nWave: 注意gate length不能小於28nm 04/05 19:07
2F：推 jfsu: 注意schedule不要delay,老闆會不爽 04/05 19:12
3F：→ pwenlin: leakage , mismatch, Vov ,layout 需特別注意的嗎？ 04/05 19:33
4F：推 mmonkeyboyy: 這個問題真好 先念個書吧 by 外行人 04/05 21:24
5F：→ blackrays: 28nm... 這邊應該沒幾個碰過 04/05 22:02
6F：推 jfsu: LPE, WPE, LOD, device mismatch 04/05 22:18
7F：→ pwenlin: 請問J大 若MOS操作在 sub threshold ,run mismatch的結 04/05 22:26
8F：→ pwenlin: 果可信嗎？已經無法用手算驗證 感謝 04/05 22:26
9F：推 a12349221: 28nm要考量的東西多太多，先找書看建立基礎，比較重要 04/05 22:44
10F：→ a12349221: 的是漏電，變異，佈局繞線的寄生效應與電源管理 04/05 22:44
11F：推 a12349221: 然後跑模擬一定要跑局部最差點的蒙地卡羅， 04/05 22:46
12F：→ a12349221: 另外時間管理要做好，不然很容易做不完 04/05 22:46
13F：推 mmonkeyboyy: 這裡有人做的 （不是我） 不然問教主 XD 04/05 22:49
14F：→ mmonkeyboyy: 真的先看書先 XD 差蠻多的 我只是一邊打醬油的都知 04/05 22:49
15F：→ mmonkeyboyy: 道呢~ 04/05 22:49
16F：推 NTUOnline: 請參考 貴公司/貴校由製程單位提供的Design Rules XDD 04/06 16:50
17F：推 NTUOnline: 不然問問你們那邊的資深人員或學長姐 04/06 16:52
18F：推 goldcow513: $$$$$ 04/06 22:40
19F：→ smartbit: 基本上mismatch model 還是在vth and beta terms in su 04/07 15:10
20F：→ smartbit: b region 04/07 15:10
21F：→ smartbit: 你還是要知道在電路上運作方法，再去思考這兩項的影響 04/07 15:11
22F：→ smartbit: 舉例來說，in diff. pair input of opamp , 他的重點會 04/07 15:12
23F：→ smartbit: 在於vth 04/07 15:12
24F：→ smartbit: 所以mismatch model 是可相信的 04/07 15:13
25F：→ smartbit: 另外提醒你在28nm , design 的時候就要思考layout 方法 04/07 15:13
26F：→ smartbit: 而且drc runset 會不只一個 04/07 15:14
27F：推 greengoblin: 注意不能出錯不然光罩很貴 04/07 21:25
28F：推 wxyz666: 可以問一下局部最差點是什麼意思嗎？感謝 04/08 13:19
29F：推 KennethC: MOSFET 不允許轉 90 度 04/09 17:39
30F：推 a12349221: htt ps: // ppt .cc / fYDabx 04/09 18:22
31F：→ a12349221: 這裡有詳細描述全局跟局部蒙地卡羅介紹 04/09 18:23
32F：推 smart1901: layout很酷 04/12 03:11
33F：推 blooddance: Variations...Layout 04/12 12:11
34F：推 wxyz666: 感謝 a大 ， 45n 的文件就是這樣，沒解說看不大懂 04/12 18:04