各位前輩好 半導體中P和n接面會形成空乏區 在無偏壓狀況下 擴散電流大小=漂移電流大小 如果給一個外加偏壓 會因為外加偏壓產生漂移速度 故漂移電流密度可以用 J=qnME 計算 (M=遷移率、E=外加電場） 但是如果是光電半導體如太陽能電池 在空乏區吸收光子能量產生電子電洞對 而電子電洞對因為內建電場的關係而各自往n或P移動 因此產生漂移電流=光電流 所以如果這樣說那漂移電流的大小就又和內建電場有關 而內建電場E=qNbW/ε. (Nb=輕摻雜濃度 ε=介電常數 W=空乏區） 這樣出來的漂移電流又和摻雜濃度有關了 可是和摻雜濃度有關的不是擴散電流嗎 這樣太陽能電池的光電流又怎麼會是漂移電流 不知道我哪裡理解錯誤 還請各位高手老師們指導 --

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