作者chishen1214 (chisheng)
看板Electronics
標題[問題] FET光感測器 gate大小 影響
時間Tue Jul 30 23:32:49 2019
https://i.imgur.com/nR4Un0Z.jpg
大家好，晚學剛從機械轉為接觸半導體製程
想請教一下 如果這個gate寬度變小會有什麼變化呢？ gate的長度變大會有什麼半導體
特性呢？
gate越窄，Vth會隨之上升？
DIBL，Drain Induced Barrier Lowering 意思是指當gate長度變短，Vth會降低？
感謝大家
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※ 編輯: chishen1214 (140.117.59.155 臺灣), 07/31/2019 11:25:48