作者me8z7gnk (SONG-SONG)
看板Electronics
標題[請益] 電子學的body effect跟短通道效應的疑問
時間Thu Jul 30 13:55:02 2020
Body effect: 在body施加比S極更低的電壓 空乏區往通道延伸
空乏區變大 使閥值電壓(Vt)變大
short channel effect:在D極施加高電壓 D極的空乏區變大
通道變短 使閥值電壓(Vt)變小
疑問是:兩者空乏區都會變大 通道變短
一個使Vt變高 一個使Vt變低
問一下差別在哪 希望高手解惑謝謝
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1F：推 BaaaSwin: 一個還沒導通 一個已經導通 07/30 13:58
2F：→ me8z7gnk: 謝謝B大 雖然還沒搞懂你的意思 不過謝謝回答 07/31 00:29
3F：→ Archer55b6: short channel effect強調整個MOS size小而不是VDS電 07/31 09:41
4F：→ Archer55b6: 壓吧？ 07/31 09:41
5F：→ samm3320: SCE一般是在講DIBL吧，會跟VDS有關啊 07/31 09:48
6F：推 KaryuuIssen: 理論上通道空乏區大的話 Vt應該是要變大沒錯 07/31 10:44
7F：→ KaryuuIssen: 但SCE的通道空乏區變大其實主要是因為D極的空乏區 07/31 10:45
8F：→ KaryuuIssen: 擴張到通道所導致的 S,D兩極在SCE的情況下反而能與 07/31 10:46
9F：→ KaryuuIssen: 通道共享更多部份的空乏區 讓Gate方不需要加那麼多 07/31 10:46
10F：→ KaryuuIssen: 電壓來讓通道反轉 07/31 10:47
11F：→ me8z7gnk: 謝謝K大 講法合情合理 07/31 23:55
12F：推 Elecbone: 我想B大的意思是，channel length modulation發生在通道 08/22 17:40
13F：→ Elecbone: 已經形成後，接著被空乏擠壓通道，電流上升。 唉！不過 08/22 17:40
14F：→ Elecbone: 我還是不知道原po問題的答案… 08/22 17:40