作者sillyquans (Jim77639)
看板Electronics
標題Re: [問題] 關於MOSFET
時間Tue Oct 20 17:01:22 2020
抱歉，我不太會用縮圖
1. 24V -> 695R -> VDS -> 500R
電路圖 =>
https://imgur.com/a/VOQueDi
Rds為5.01歐姆，溫升計算為0.8度C
-----------------------------------------
2. 24V -> VDS -> 500R
電路圖 =>
https://imgur.com/a/cFQt9rZ
Rds為700歐姆，溫升計算為116度C
-----------------------------------------
這兩者差異只差在有沒有接上695R
如果沒有串聯695R，會使VDS電壓變大，近而Ploss變大、元件變燙
我使用Nexperia NX7002AK，規格書明確表示在Vgs在5V下，Rds(on)基本3.7R、最大5.2R
理論推理可得到Vgs為2V情況下，Rds(on)會大於3.7R
由例1模擬計算得到5R > 3.7R (合理)
但例2模擬計算卻得到700R >>>>>> 3.7R (實質不合理)
我主要問題點是在例2狀況下，Rds(on)還能用Vds / Ids來計算得到嗎?
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1F：→ sillyquans: 我於PCB板上因散熱條件好，量到溫升為90C 10/20 17:03
2F：→ samm3320: Vgs=2V RDS>3.7R是怎麼來的？spec就說要5V? 10/20 17:10
3F：→ sillyquans: spec上有列Vgs = 5V下，Rds(on)為3.7~5.2R 10/20 17:11
4F：→ sillyquans: 同理，當Vgs變小、Rds(on)會變大，故會大於3.7R 10/20 17:12
5F：→ samm3320: 喔喔我看懂了，對所以700R>3.7R也是合理的啊，VGS差這 10/20 17:12
6F：→ samm3320: 麼多 10/20 17:12
7F：→ samm3320: spec沒有保證你在VGS=2的時候RDS<5R啊 10/20 17:13
8F：→ sillyquans: VGS才差1V，照理說Rds(on)不應該是超出上百倍才對 10/20 17:14
9F：→ sillyquans: 規格書沒保證，所以我才來探討Rds(on)是否會有百歐姆? 10/20 17:16
10F：→ samm3320: 照理說就會啊，你又不知道他VT多少，搞不好快關掉了 10/20 17:16
11F：→ sillyquans: 確實有可能快關掉了，但我也不是這類專家.. 10/20 17:20
12F：→ sillyquans: 所以才來板上詢問，是否有人知道問題在哪.. 10/20 17:21
13F：→ samm3320: 假設這顆mos VT是1.5好了，Vgs-Vt從4.5掉到0.5，差九倍 10/20 17:22
14F：→ samm3320: ，平方也快百倍了 10/20 17:22
15F：→ samm3320: 不過都在飽和區了，去看RDS on真的不知道要幹嘛就是 10/20 17:24
16F：→ sillyquans: 7002, 常態Vgs(th)為1V~2.5V(max) 10/20 17:26
17F：→ samm3320: 我去看了一下你這顆Vt typical 1.6 max 2.1 10/20 17:27
18F：→ samm3320: 對啊所以快關了 10/20 17:27
19F：→ sillyquans: 我再多研究好了，因為溫度我只聯想到RDS IDS VDS 10/20 17:27
20F：→ samm3320: 因為P=R*I^2吧你鎖住電流拉大VDS功耗會增加溫度升高方向 10/20 17:35
21F：→ samm3320: 是對的啊 10/20 17:35
22F：→ samm3320: Drain上有串R的話大多功耗就消耗在電阻上 10/20 17:36
23F：→ samm3320: mosfet溫度就比較低，電阻溫度比較高，這樣不是很合理 10/20 17:37
24F：→ samm3320: 嗎 10/20 17:37
25F：→ cmosdigital: 針對問題點的答案為： 不能 10/20 17:57
26F：→ cmosdigital: 因為你的Id是強迫定電流給的 不是因為給定元件偏壓14 10/20 17:59
27F：→ cmosdigital: V 自己產生的電流 10/20 17:59
28F：→ sillyquans: Hi c大，那麼Rds(on)會是多少呢？ 10/22 00:49