作者baty87 (莎拉公主)
看板Master_D
標題[請益]半導體的問題(急)
時間Mon Apr 30 12:13:47 2007
以共積體化摻雜通道場效電晶體而言
為何增強式的turn-on電壓和崩潰電壓會比空乏式的來的高????
煩請各位懂得大大幫我解決ㄅ,,,快瘋ㄌ!!
--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 61.223.219.249
1F：推 standly38: 公主 您 注音文了 04/30 12:19
2F：推 Cabrera42:增強型~能帶寬比較大吧...(不負責言論) 04/30 14:20
3F：推 Solver:電子學前三章不是有講嗎@@ 04/30 15:25
4F：推 mud2man:增強型含有通道的載子，必須先把通道的多數載子用逆偏給清 05/01 10:53
5F：推 mud2man:除掉，所以需要多一個電壓來做清除動作 05/01 10:57
6F：推 yy88:太多參數可以調了 不知從何說起 05/02 03:06