作者ihlin ()
看板comm_and_RF
標題[問題] on-chip 的 PA output matching怎麼做？
時間Fri Mar 24 15:41:57 2006
如果在不能用microstrip line做matching的情況下，
真的是把device size和current 調到使drain的阻抗為Z0嗎？
感覺不太合理，可是用LC的話，又對package bondwire很敏感，
難道要每一換package就換LC值嗎？
想來想去想不到一個方法，在5G以下的CMOS製程，
到底要怎麼樣設計一個PA讓他只要掛一個RFC電感和一個很大的AC coupling CAP就好，
不用加外面的matching network，
而且又能在不同的package下不用改變設計太多呢？
板上強者們的公司裡都是怎麼做這件事的啊？
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◆ From: 69.109.66.27
1F：推 pow:我不是高手 可是我覺得TANK功能有限...能不能改Z0？ 03/24 21:44
2F：推 goverz:呼,這也是我現在面臨很大的挑戰,一堆案子都是要no matching 03/25 12:10
3F：→ goverz:我不知道你們做CMOS的要怎麼做,不過我們這種GaAs的IDM廠 03/25 12:10
4F：→ goverz:來說,我們的確是連所用的package都一起考慮到matching裡的 03/25 12:12
5F：→ goverz:這也是我覺得這種東西design house應該搞不來的原因 03/25 12:13
6F：→ goverz:我們自己有自己的封裝廠,都得要tune好一陣子了 03/25 12:13
7F：→ goverz:如果使用bondwire去做matching的話,又有封裝上量率的問題 03/25 12:14
8F：→ goverz:良率的問題,所以現在覺得如何設計一個好電感真的很重要 03/25 12:15
9F：→ goverz:CMOS那邊應該有很多做好電感的paper吧 03/25 12:15
10F：→ goverz:我們做GaAs的只有兩層金屬,其中一層又薄到不行loss超大 03/25 12:16
11F：→ goverz:所以要搞出一個好電感反而看起來沒有搞CMOS的簡單啊 03/25 12:16
12F：→ goverz:尤其是做PA你得考慮到電感的限流問題,又要chip面積小 03/25 12:18
13F：→ goverz:所有的想法都只有真的下線去封來試試看啦,我現在也只能這樣 03/25 12:18
14F：→ goverz:做.還好所有的製造流程都是自家的,我真不能想像這種東西要 03/25 12:19
15F：→ goverz:委託代工的做tune起來要花多少錢 03/25 12:20
16F：推 goverz:手上現在最新的案子是要做一顆1.5mmx1.5mm的802.11g PA 03/25 12:24
17F：→ goverz:不能有外部matching的,這麼小的size連bondwire都沒得運用 03/25 12:24
18F：→ goverz:其實大的package反而好做no-matching 03/25 12:25
19F：→ goverz:我做這種超小package最長的bondwire電感值無法超過0.5nH 03/25 12:26
20F：→ goverz:在2.4GHz根本值太小,只有想辦法好好做chip上的電感了 03/25 12:26