作者spiritspirit (此帳號目前暫停使用)
看板Electronics
標題[問題] 想請問關於TSMC T18 摻雜問題
時間Sun Aug 25 16:42:20 2013
各位前輩：
因為我現在做的研究是利用TCAD建立3D模型跑電性的研究，其中利用的是
TSMC 0.18 um製程，但在軟體設定上必須設定摻雜詳細濃度，不知道CIC方面
有沒有提供 Diffusion、Imp、Well及substrate摻雜濃度的技術文件？
我有翻閱他上面提供的文件，但沒有找到這方面相關的資料。
是CIC不提供濃度資訊還是有提供在技術文件上我沒有找到呢？
因為之前去上過TCAD的課程，有練習題上的濃度，但模擬出來的結果與實際值差異頗大，
所以想要有正確的摻雜濃度來得出較貼近實際值的模擬。
另外想要問關於WELL層的深度，還有LOCOS產生之後的深度是多少呢？
先謝謝大家幫忙回答～
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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 140.120.106.202
1F：→ StringR:畫Layout跟SPICE的製程檔應該沒你要的東西，你要的算是產 08/25 17:51
2F：→ StringR:線的製程recipe，正常應該是拿不到這些資料 08/25 17:52
3F：推 jamtu:製程文件沒有 08/26 00:52
4F：→ jamtu:circuit designer不需要知道這些 你這是特殊需求 08/26 00:52
5F：→ jamtu:建議你直接跟TSMC詢問 08/26 00:53
6F：推 nevinyrrals:製程的東西都是秘密 很難問到 雖然是很舊的製程了... 08/26 20:12
7F：→ womack79:CIC有提供model card吧，目前應該都是用BSIM，可以從 08/27 01:43
8F：→ womack79:model card上的參數大致推算doping concentration 08/27 01:44
9F：→ womack79:模擬出來的結果跟實際值差異很大的另一個很重要的因素是 08/27 01:45
10F：→ womack79:physics model有沒有給對以及calibration 08/27 01:45
11F：→ spiritspirit:是用model card推算喔? 08/27 12:36