作者spiritspirit (此帐号目前暂停使用)
看板Electronics
标题[问题] 想请问关於TSMC T18 掺杂问题
时间Sun Aug 25 16:42:20 2013
各位前辈：
因为我现在做的研究是利用TCAD建立3D模型跑电性的研究，其中利用的是
TSMC 0.18 um制程，但在软体设定上必须设定掺杂详细浓度，不知道CIC方面
有没有提供 Diffusion、Imp、Well及substrate掺杂浓度的技术文件？
我有翻阅他上面提供的文件，但没有找到这方面相关的资料。
是CIC不提供浓度资讯还是有提供在技术文件上我没有找到呢？
因为之前去上过TCAD的课程，有练习题上的浓度，但模拟出来的结果与实际值差异颇大，
所以想要有正确的掺杂浓度来得出较贴近实际值的模拟。
另外想要问关於WELL层的深度，还有LOCOS产生之後的深度是多少呢？
先谢谢大家帮忙回答～
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※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 140.120.106.202
1F：→ StringR:画Layout跟SPICE的制程档应该没你要的东西，你要的算是产 08/25 17:51
2F：→ StringR:线的制程recipe，正常应该是拿不到这些资料 08/25 17:52
3F：推 jamtu:制程文件没有 08/26 00:52
4F：→ jamtu:circuit designer不需要知道这些 你这是特殊需求 08/26 00:52
5F：→ jamtu:建议你直接跟TSMC询问 08/26 00:53
6F：推 nevinyrrals:制程的东西都是秘密 很难问到 虽然是很旧的制程了... 08/26 20:12
7F：→ womack79:CIC有提供model card吧，目前应该都是用BSIM，可以从 08/27 01:43
8F：→ womack79:model card上的参数大致推算doping concentration 08/27 01:44
9F：→ womack79:模拟出来的结果跟实际值差异很大的另一个很重要的因素是 08/27 01:45
10F：→ womack79:physics model有没有给对以及calibration 08/27 01:45
11F：→ spiritspirit:是用model card推算喔? 08/27 12:36