作者woko (孤.獨.一.痕)
看板Electronics
標題[請益] CMOS源極隨耦器的設計問題?
時間Sat Sep 14 11:26:47 2013
請教各位高手一個關於源極隨耦器(source follower)的問題:
現行CMOS製程中,有聽過一種叫做twin-well的製程(P-substrate中
同時包含N-well及P-well).
是否能在這種製程中,給定P-well一組不同於P-substrate的電壓,
達成可以消除基底效應的NMOS source follower?
麻煩有相關經驗的人不吝分享,謝謝~~
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◆ From: 122.147.248.242
1F：推 owenroy:可 09/14 14:08
2F：→ jacobliu:不可，需triple-wll製程 09/14 16:11
3F：→ jacobliu: well 09/14 16:13
4F：推 owenroy:我搞錯了 triple-well 是多了deep n well 嗎 09/14 19:05
5F：推 jfsu:樓上，是的 。 09/15 02:52
6F：推 deathcustom:樓上的水精靈大大，我等你很久惹 09/15 15:33
7F：→ woko:為什麼要triple-well才行?twin-well中的p-well不行嗎? 09/16 14:03
8F：推 asurada29:因為製程中，所有psub都是短路起來的，你隔p-well 09/16 15:24
9F：→ asurada29:外面還是psub，實際上是短路的。 09/16 15:25
10F：→ woko:感謝各位高手的解惑!! 09/17 14:52