作者woko (孤.独.一.痕)
看板Electronics
标题[请益] CMOS源极随耦器的设计问题?
时间Sat Sep 14 11:26:47 2013
请教各位高手一个关於源极随耦器(source follower)的问题:
现行CMOS制程中,有听过一种叫做twin-well的制程(P-substrate中
同时包含N-well及P-well).
是否能在这种制程中,给定P-well一组不同於P-substrate的电压,
达成可以消除基底效应的NMOS source follower?
麻烦有相关经验的人不吝分享,谢谢~~
--
※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 122.147.248.242
1F：推 owenroy:可 09/14 14:08
2F：→ jacobliu:不可，需triple-wll制程 09/14 16:11
3F：→ jacobliu: well 09/14 16:13
4F：推 owenroy:我搞错了 triple-well 是多了deep n well 吗 09/14 19:05
5F：推 jfsu:楼上，是的 。 09/15 02:52
6F：推 deathcustom:楼上的水精灵大大，我等你很久惹 09/15 15:33
7F：→ woko:为什麽要triple-well才行?twin-well中的p-well不行吗? 09/16 14:03
8F：推 asurada29:因为制程中，所有psub都是短路起来的，你隔p-well 09/16 15:24
9F：→ asurada29:外面还是psub，实际上是短路的。 09/16 15:25
10F：→ woko:感谢各位高手的解惑!! 09/17 14:52