作者sark4566 (rk)
看板Electronics
標題[問題] Silvaco軟體模擬MOSC的電性
時間Fri Sep 20 22:45:29 2013
我們在使用silvaco模擬MOSC
但是一直無法完美的將interface trap加入到oxide/Si介面
我們也有參考example 但是覺得example的圖也是怪怪的
所以想上板來請教版上的高手@@
感謝~~
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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 61.230.54.82
1F：推 ventress:example是到silvaco網站看"Hysteresis effects"這篇嗎 09/25 13:15
2F：→ sark4566:是, 我們有模擬出她的(a)圖 但是對於改變溫度的現象 09/27 16:43
3F：→ sark4566:很奇怪, 覺得他的interface charge像是fixed charge 09/27 16:43
4F：→ sark4566:是否是Silvaco的interface trap無法很完美的模擬? 09/27 16:44
5F：推 ventress:有和直接加fixed charge(qf)的結果比較嗎 09/27 22:28
6F：→ ventress:是不是想畫不同溫度下之Dit曲線平移變化 09/27 22:34
7F：→ sark4566:我們還沒嘗試加fixed charge 我們是想看Dit對溫度的變化@ 09/27 23:25
8F：→ sark4566:不過我們是用AlGaN/GaN結構 09/27 23:27
9F：→ cs91358:不好意思，我是和原PO同組的組員，模擬主要是我在負責 09/27 23:57
10F：→ cs91358:想請問一下，可以加入U-Shape的trap嗎? 09/27 23:58
11F：→ cs91358:因為我們看manual好像只能加single level的trap 09/27 23:59
12F：→ cs91358:主要是想模擬出CV curve變平緩的現象 09/27 23:59
13F：→ ventress:我其實沒有模擬過interface trap的經驗 09/28 16:57
14F：→ ventress:直覺上要加入U-Shape的trap(中間密度最低 上下端較高) 09/28 17:00
15F：→ ventress:可以一行行打 逐漸改變e.level 試試看吧 09/28 17:02
16F：→ sark4566:有試過樓上的方法 還加了100行xd 09/29 01:05
17F：→ sark4566:但是對溫度的變化還是很奇怪~~~~cv曲線是有變平緩一點 09/29 01:05