作者sark4566 (rk)
看板Electronics
标题[问题] Silvaco软体模拟MOSC的电性
时间Fri Sep 20 22:45:29 2013
我们在使用silvaco模拟MOSC
但是一直无法完美的将interface trap加入到oxide/Si介面
我们也有参考example 但是觉得example的图也是怪怪的
所以想上板来请教版上的高手@@
感谢~~
--
※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 61.230.54.82
1F：推 ventress:example是到silvaco网站看"Hysteresis effects"这篇吗 09/25 13:15
2F：→ sark4566:是, 我们有模拟出她的(a)图 但是对於改变温度的现象 09/27 16:43
3F：→ sark4566:很奇怪, 觉得他的interface charge像是fixed charge 09/27 16:43
4F：→ sark4566:是否是Silvaco的interface trap无法很完美的模拟? 09/27 16:44
5F：推 ventress:有和直接加fixed charge(qf)的结果比较吗 09/27 22:28
6F：→ ventress:是不是想画不同温度下之Dit曲线平移变化 09/27 22:34
7F：→ sark4566:我们还没尝试加fixed charge 我们是想看Dit对温度的变化@ 09/27 23:25
8F：→ sark4566:不过我们是用AlGaN/GaN结构 09/27 23:27
9F：→ cs91358:不好意思，我是和原PO同组的组员，模拟主要是我在负责 09/27 23:57
10F：→ cs91358:想请问一下，可以加入U-Shape的trap吗? 09/27 23:58
11F：→ cs91358:因为我们看manual好像只能加single level的trap 09/27 23:59
12F：→ cs91358:主要是想模拟出CV curve变平缓的现象 09/27 23:59
13F：→ ventress:我其实没有模拟过interface trap的经验 09/28 16:57
14F：→ ventress:直觉上要加入U-Shape的trap(中间密度最低 上下端较高) 09/28 17:00
15F：→ ventress:可以一行行打 逐渐改变e.level 试试看吧 09/28 17:02
16F：→ sark4566:有试过楼上的方法 还加了100行xd 09/29 01:05
17F：→ sark4566:但是对温度的变化还是很奇怪~~~~cv曲线是有变平缓一点 09/29 01:05