作者INTRAMURAL (....)
看板Electronics
標題[討論] MOS空乏區厚度
時間Thu Oct 10 17:26:22 2013
請問一下我看了施敏第四章之後(p-n接面)
空乏區主要定義是載子(電子或電洞)電流密度=0的區域
那其主要目的是甚麼?
另外，當MOS外接順向偏壓時，空乏區會加大大到一定程度
就停止，就產生額外電子。我不懂怎麼解釋空乏區寬度
問題。請問這是第幾章會提到的觀念。最後，我不懂pn接面或MOS
在平衡時，費米能階一定都相同嗎? 那整體能帶圖要怎麼畫
(因為我不懂到底曲線要往上翹或往下彎)。
感謝，因為是剛接觸所以不是很懂。
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◆ From: 140.116.1.134
※ 編輯: INTRAMURAL 來自: 140.116.1.134 (10/10 18:02)
1F：→ ventress:空乏區的形成會使pn接面有內建電壓差 10/10 22:58
2F：→ ventress:所以要當外接電壓超過此內建電壓時，二極體才會導通。 10/10 23:00
3F：→ INTRAMURAL:那為什麼到臨界電壓之前，空乏區會寬到一定程度就停止? 10/10 23:06
4F：→ ventress:假設MOS外接順向偏壓是正的(Vg>0) 10/10 23:18
5F：→ ventress:此時P型半導體的電洞會被排開留下負離子 此空間即空乏區 10/10 23:22
6F：→ ventress:負離子剛好提供負電荷來和外加之正電壓吸引達到平衡 10/10 23:23
7F：→ ventress:如持續提高外加正電壓空乏區會擴大 但當正電壓達到臨界值 10/10 23:25
8F：→ ventress:Vg=Vth 半導體表面會有反轉電荷(inversion charge) 10/10 23:26
9F：→ ventress:P型半導體的反轉電荷就是電子 反之亦然 10/10 23:27
10F：→ ventress:此時出現的反轉電荷恰可代替負離子扮演電荷平衡的角色 10/10 23:30
11F：→ ventress:所以原本空乏區的負離子不必再增加 空乏區寬度就不再改變 10/10 23:31
12F：推 truescorpio:第幾章可以找到相關資訊。從能帶圖可以解釋嗎? 10/11 00:47
13F：→ ventress:樓上試用哪本書呢？ 10/11 02:22
14F：→ INTRAMURAL:半導體元件物理與製作 施敏 第二版 10/11 09:29
15F：→ ventress:介紹mos的章節 前面幾節應該會有 不過我沒讀過這本 10/11 10:10
16F：→ ventress:剛開始學的建議先把pn二極體、金屬-半導體接面搞懂 10/11 10:12
17F：→ ventress:再學mos電晶體 這樣觀念才會連貫 10/11 10:14
18F：→ glue731:臨限電壓等於到達臨限反轉點所外加的閘極電壓 10/13 05:43