作者INTRAMURAL (....)
看板Electronics
标题[讨论] MOS空乏区厚度
时间Thu Oct 10 17:26:22 2013
请问一下我看了施敏第四章之後(p-n接面)
空乏区主要定义是载子(电子或电洞)电流密度=0的区域
那其主要目的是甚麽?
另外，当MOS外接顺向偏压时，空乏区会加大大到一定程度
就停止，就产生额外电子。我不懂怎麽解释空乏区宽度
问题。请问这是第几章会提到的观念。最後，我不懂pn接面或MOS
在平衡时，费米能阶一定都相同吗? 那整体能带图要怎麽画
(因为我不懂到底曲线要往上翘或往下弯)。
感谢，因为是刚接触所以不是很懂。
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◆ From: 140.116.1.134
※ 编辑: INTRAMURAL 来自: 140.116.1.134 (10/10 18:02)
1F：→ ventress:空乏区的形成会使pn接面有内建电压差 10/10 22:58
2F：→ ventress:所以要当外接电压超过此内建电压时，二极体才会导通。 10/10 23:00
3F：→ INTRAMURAL:那为什麽到临界电压之前，空乏区会宽到一定程度就停止? 10/10 23:06
4F：→ ventress:假设MOS外接顺向偏压是正的(Vg>0) 10/10 23:18
5F：→ ventress:此时P型半导体的电洞会被排开留下负离子 此空间即空乏区 10/10 23:22
6F：→ ventress:负离子刚好提供负电荷来和外加之正电压吸引达到平衡 10/10 23:23
7F：→ ventress:如持续提高外加正电压空乏区会扩大 但当正电压达到临界值 10/10 23:25
8F：→ ventress:Vg=Vth 半导体表面会有反转电荷(inversion charge) 10/10 23:26
9F：→ ventress:P型半导体的反转电荷就是电子 反之亦然 10/10 23:27
10F：→ ventress:此时出现的反转电荷恰可代替负离子扮演电荷平衡的角色 10/10 23:30
11F：→ ventress:所以原本空乏区的负离子不必再增加 空乏区宽度就不再改变 10/10 23:31
12F：推 truescorpio:第几章可以找到相关资讯。从能带图可以解释吗? 10/11 00:47
13F：→ ventress:楼上试用哪本书呢？ 10/11 02:22
14F：→ INTRAMURAL:半导体元件物理与制作 施敏 第二版 10/11 09:29
15F：→ ventress:介绍mos的章节 前面几节应该会有 不过我没读过这本 10/11 10:10
16F：→ ventress:刚开始学的建议先把pn二极体、金属-半导体接面搞懂 10/11 10:12
17F：→ ventress:再学mos电晶体 这样观念才会连贯 10/11 10:14
18F：→ glue731:临限电压等於到达临限反转点所外加的闸极电压 10/13 05:43