先附上我的 spice file MMUXN OUT EN IN VSS hvnch L=1U W=40U M=2 MMUXP IN ENB OUT VD5 hvpch L=0.9U W=40U M=2 VOUT OUT VSS VDG I1 IN VD5 100u .print PAR('abs((V(IN)-V(OUT))/I(I1))')-------------第一個算法 .print |(Mrp) |(Mrn) rp=par('1/lx8(MMUXP)')rn=par('1/lx8(MMUXN)') +req=par('1/(lx8(MMUXP)+lx8(MMUXN))')---------------第二個算法 量測 transmission gate 電阻的方法是： 1. 固定 Vout，VG 接到 VD5 或 VSS 以打開TG，從 VD5 接一理想電流源至 Vin。 2. 因為訊號的 DC 位準都在 VD5/2，而我要看的是傳輸閘電阻值隨 VD5 的變化。 3. 變動 Vout 來看電阻的變化 (掃出 Razavi 等課本上介紹 TG 的那個電阻圖)。 4. 只要看 Vout = VD5/2 對應到的電阻值，就是所要的電阻值。 第一個算法是直接用 R = V/I 的觀念，量測 TG 兩端的電壓降，除以電流源上流過的電 流(因為只有這個對地路徑) 第二個算法是分別量測 TG 內部 NMOS 和 PMOS 的 gds ，利用 1/(gds,p + gds,n) 這個 等式來算出電阻。 附圖有兩個圖： http://i.imgur.com/j3jR8qA.jpg 上圖是 VD5 = 5V，要看 Vout = 2.5V 的電阻值分布圖。 下圖是 VD5 = 1.8V，要看 Vout = 0.9V 的電阻值分布圖。 幾個問題： 1. 我這個量測的 model 哪邊有問題嗎 ? 2. 由圖中可以看出 VD5 = 5V，Vout = 2.5V 的 case ，兩種電阻值計算方法算出來的結 果，基本上可以算是相符合。 但是在 VD5 = 1.8V，Vout = 0.9V 的 case 中，兩種算法算出來的電阻值卻有極大的 差異，其中以 1/(gds,p+gds,n) 的算法算出來的值幾乎是 R = V/I 方法的兩倍。 請問為什麼會造成這樣的結果 ? 該以哪一種為準 ? 又或者有更好的方法 ? 3. 1/gds = rds，這個關係在計算小訊號電阻成立，那麼在大訊號是否也同樣成立? 若不成立，原因為何 ? 謝謝！ --

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