先附上我的 spice file MMUXN OUT EN IN VSS hvnch L=1U W=40U M=2 MMUXP IN ENB OUT VD5 hvpch L=0.9U W=40U M=2 VOUT OUT VSS VDG I1 IN VD5 100u .print PAR('abs((V(IN)-V(OUT))/I(I1))')-------------第一个算法 .print |(Mrp) |(Mrn) rp=par('1/lx8(MMUXP)')rn=par('1/lx8(MMUXN)') +req=par('1/(lx8(MMUXP)+lx8(MMUXN))')---------------第二个算法 量测 transmission gate 电阻的方法是： 1. 固定 Vout，VG 接到 VD5 或 VSS 以打开TG，从 VD5 接一理想电流源至 Vin。 2. 因为讯号的 DC 位准都在 VD5/2，而我要看的是传输闸电阻值随 VD5 的变化。 3. 变动 Vout 来看电阻的变化 (扫出 Razavi 等课本上介绍 TG 的那个电阻图)。 4. 只要看 Vout = VD5/2 对应到的电阻值，就是所要的电阻值。 第一个算法是直接用 R = V/I 的观念，量测 TG 两端的电压降，除以电流源上流过的电 流(因为只有这个对地路径) 第二个算法是分别量测 TG 内部 NMOS 和 PMOS 的 gds ，利用 1/(gds,p + gds,n) 这个 等式来算出电阻。 附图有两个图： http://i.imgur.com/j3jR8qA.jpg 上图是 VD5 = 5V，要看 Vout = 2.5V 的电阻值分布图。 下图是 VD5 = 1.8V，要看 Vout = 0.9V 的电阻值分布图。 几个问题： 1. 我这个量测的 model 哪边有问题吗 ? 2. 由图中可以看出 VD5 = 5V，Vout = 2.5V 的 case ，两种电阻值计算方法算出来的结 果，基本上可以算是相符合。 但是在 VD5 = 1.8V，Vout = 0.9V 的 case 中，两种算法算出来的电阻值却有极大的 差异，其中以 1/(gds,p+gds,n) 的算法算出来的值几乎是 R = V/I 方法的两倍。 请问为什麽会造成这样的结果 ? 该以哪一种为准 ? 又或者有更好的方法 ? 3. 1/gds = rds，这个关系在计算小讯号电阻成立，那麽在大讯号是否也同样成立? 若不成立，原因为何 ? 谢谢！ --

※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc) ◆ From: 211.22.107.55 ※ 编辑: ceaserman 来自: 211.22.107.55 (01/24 11:24)