作者nnpo (louis)
看板Electronics
標題[問題] SRAM專門製廠
時間Thu Jul 10 10:34:04 2014
請問各位一個基本問題:
常聽說DRAM 製廠是三星 micron
logic製廠是台積電 GF等等
flash是三星 MICRON
但怎麼沒有聽說SRAM的專門廠呢? 他們都是誰在做fab的?
謝謝
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1F：推 mmonkeyboyy:都是羅輯場在做的 07/10 12:18
2F：→ FTICR:SRAM 包在邏輯晶片裡面啊 07/10 13:25
3F：→ kuanglun:Cypress.... 07/10 13:36
4F：→ nnpo:可是如果是坐在logic晶片裡面，怎麼我聽說memory acces的速度 07/10 15:41
5F：→ nnpo:比不上真正完全做在邏輯晶片的速度來的快 (cache的概念) 07/10 15:42
6F：→ nnpo:access 07/10 15:42
7F：推 mmonkeyboyy:聽不懂你上面那句的意思 @@? 07/11 00:01
8F：→ lovepy:cache不就是用sram嗎 還是你是在說register file或DFF 07/11 01:12
9F：推 bxxl:3樓: 做在logic晶片裡面 跟 完全做在邏輯晶片裡面, 不是一樣? 07/11 08:36
10F：推 chester102:SRAM cell是用電晶體兜的所以一般製程廠都可以做，但是 07/11 10:22
11F：→ chester102:DRAM cell需要用特殊製程來做電容的部分，所以不容易跟 07/11 10:24
12F：→ chester102:一般邏輯整在一片 07/11 10:24
13F：→ chester102:另外原po推的最快的指的是register(or DFF)，會比經過 07/11 10:26
14F：→ chester102:SRAM經過array跟sense amp快 07/11 10:26
15F：→ chester102:除了Cypress還有其他家出SRAM chip，例如ISSI 07/11 10:30
16F：推 mmonkeyboyy:register也是一種sram吧 07/11 11:08
17F：→ nnpo:既然register跟SRAM都做在logic裡面 不需要經過motherboard 07/11 12:36
18F：→ nnpo:為什麼register跟SRAM還是有速度之分呢? 07/11 12:36
19F：→ nnpo:又，既然SRAM也是做在LOGIC裡面，意思是像台積電 INTEL 07/11 12:37
20F：→ nnpo:在做microprocessor時 也都把SRAM代工一起包下來了囉? 07/11 12:37
22F：→ nnpo:這篇文章的圖 感覺SRAM跟DRAM都做在processor的外面耶.. 07/11 12:42
23F：推 bxxl:可以在外面也可以在裡面啊,現在大多做在裡面 07/11 13:11
24F：→ bxxl:應該說以做進去整合一起為優先, 有特殊考量才放外面y 07/11 13:13
25F：→ nnpo:那既然都坐在裡面，為什麼還是比register慢呢? 07/11 13:57
26F：推 bxxl:兩種的電路不一樣啊 07/11 14:15
27F：推 Baneling:除了速度 你也要考慮面積呀 07/11 15:14
28F：推 jfsu:Flash memory裡頭就有sram (6T)，當做program data register 07/11 19:47
29F：→ jfsu:非常佔面積。附註: NOR flash。NAND Flash就用SRlatch 07/11 19:48
30F：→ jfsu:cache用。 07/11 19:48
31F：推 mmonkeyboyy:不用那麼快 做那麼快浪費電嗎? 而且還有port數和cell 07/12 04:22
32F：→ mmonkeyboyy:數目的不同 sram做在那裡你googlee 一下圖片就看得出 07/12 04:23
33F：→ mmonkeyboyy:來了 那一塊一塊的就是SRAM 07/12 04:23
34F：→ mmonkeyboyy:樓上大大 為什麼要這樣設計 是因為可同時prgram一堆 07/12 04:24
35F：→ mmonkeyboyy:東西 而nor不用是吧? 07/12 04:24
36F：→ mmonkeyboyy:你回去看一下register 1st level 2nd level 3rd level 07/12 04:25
37F：→ mmonkeyboyy:cache就可以看得到為什麼 他沒比較快 一般cache 07/12 04:26
38F：→ mmonkeyboyy:delay 都是 0.5ns upward起跳 07/12 04:26
39F：→ nnpo:感謝各位回答 07/13 03:27
40F：→ kuanglun:Register, cache和external static memory都是SRAM的6T 07/14 03:37
41F：→ kuanglun:cell. 但register的size小, 約32-64bytes. cache是k級的 07/14 03:38
42F：→ kuanglun:因此在BL和BLb的capactive loading上,register比較小, 07/14 03:40
43F：→ kuanglun:所以比cache快. cache速度L1>L2>L3也是因為array size 07/14 03:42
44F：→ kuanglun:capactive loading上, register<L1<L2<L3 07/14 03:43
45F：→ kingzero:e-lan 07/21 11:08