作者nnpo (louis)
看板Electronics
标题[问题] SRAM专门制厂
时间Thu Jul 10 10:34:04 2014
请问各位一个基本问题:
常听说DRAM 制厂是三星 micron
logic制厂是台积电 GF等等
flash是三星 MICRON
但怎麽没有听说SRAM的专门厂呢? 他们都是谁在做fab的?
谢谢
--
※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc), 来自: 67.161.23.7
※ 文章网址: http://webptt.com/cn.aspx?n=bbs/Electronics/M.1404959647.A.4D3.html
1F：推 mmonkeyboyy:都是罗辑场在做的 07/10 12:18
2F：→ FTICR:SRAM 包在逻辑晶片里面啊 07/10 13:25
3F：→ kuanglun:Cypress.... 07/10 13:36
4F：→ nnpo:可是如果是坐在logic晶片里面，怎麽我听说memory acces的速度 07/10 15:41
5F：→ nnpo:比不上真正完全做在逻辑晶片的速度来的快 (cache的概念) 07/10 15:42
6F：→ nnpo:access 07/10 15:42
7F：推 mmonkeyboyy:听不懂你上面那句的意思 @@? 07/11 00:01
8F：→ lovepy:cache不就是用sram吗 还是你是在说register file或DFF 07/11 01:12
9F：推 bxxl:3楼: 做在logic晶片里面 跟 完全做在逻辑晶片里面, 不是一样? 07/11 08:36
10F：推 chester102:SRAM cell是用电晶体兜的所以一般制程厂都可以做，但是 07/11 10:22
11F：→ chester102:DRAM cell需要用特殊制程来做电容的部分，所以不容易跟 07/11 10:24
12F：→ chester102:一般逻辑整在一片 07/11 10:24
13F：→ chester102:另外原po推的最快的指的是register(or DFF)，会比经过 07/11 10:26
14F：→ chester102:SRAM经过array跟sense amp快 07/11 10:26
15F：→ chester102:除了Cypress还有其他家出SRAM chip，例如ISSI 07/11 10:30
16F：推 mmonkeyboyy:register也是一种sram吧 07/11 11:08
17F：→ nnpo:既然register跟SRAM都做在logic里面 不需要经过motherboard 07/11 12:36
18F：→ nnpo:为什麽register跟SRAM还是有速度之分呢? 07/11 12:36
19F：→ nnpo:又，既然SRAM也是做在LOGIC里面，意思是像台积电 INTEL 07/11 12:37
20F：→ nnpo:在做microprocessor时 也都把SRAM代工一起包下来了罗? 07/11 12:37
22F：→ nnpo:这篇文章的图 感觉SRAM跟DRAM都做在processor的外面耶.. 07/11 12:42
23F：推 bxxl:可以在外面也可以在里面啊,现在大多做在里面 07/11 13:11
24F：→ bxxl:应该说以做进去整合一起为优先, 有特殊考量才放外面y 07/11 13:13
25F：→ nnpo:那既然都坐在里面，为什麽还是比register慢呢? 07/11 13:57
26F：推 bxxl:两种的电路不一样啊 07/11 14:15
27F：推 Baneling:除了速度 你也要考虑面积呀 07/11 15:14
28F：推 jfsu:Flash memory里头就有sram (6T)，当做program data register 07/11 19:47
29F：→ jfsu:非常占面积。附注: NOR flash。NAND Flash就用SRlatch 07/11 19:48
30F：→ jfsu:cache用。 07/11 19:48
31F：推 mmonkeyboyy:不用那麽快 做那麽快浪费电吗? 而且还有port数和cell 07/12 04:22
32F：→ mmonkeyboyy:数目的不同 sram做在那里你googlee 一下图片就看得出 07/12 04:23
33F：→ mmonkeyboyy:来了 那一块一块的就是SRAM 07/12 04:23
34F：→ mmonkeyboyy:楼上大大 为什麽要这样设计 是因为可同时prgram一堆 07/12 04:24
35F：→ mmonkeyboyy:东西 而nor不用是吧? 07/12 04:24
36F：→ mmonkeyboyy:你回去看一下register 1st level 2nd level 3rd level 07/12 04:25
37F：→ mmonkeyboyy:cache就可以看得到为什麽 他没比较快 一般cache 07/12 04:26
38F：→ mmonkeyboyy:delay 都是 0.5ns upward起跳 07/12 04:26
39F：→ nnpo:感谢各位回答 07/13 03:27
40F：→ kuanglun:Register, cache和external static memory都是SRAM的6T 07/14 03:37
41F：→ kuanglun:cell. 但register的size小, 约32-64bytes. cache是k级的 07/14 03:38
42F：→ kuanglun:因此在BL和BLb的capactive loading上,register比较小, 07/14 03:40
43F：→ kuanglun:所以比cache快. cache速度L1>L2>L3也是因为array size 07/14 03:42
44F：→ kuanglun:capactive loading上, register<L1<L2<L3 07/14 03:43
45F：→ kingzero:e-lan 07/21 11:08