作者jeff0203 (fox)
看板Electronics
標題[問題]關於某篇文章設計capless LDO 的 PMOS
時間Sun Jul 13 17:11:18 2014
各位先進們
請問有誰拜讀過Robert J. Milliken 在 IEEE Transaction on circuit and system
在2007年"Full on-chip CMOS Low-Dropout Voltage Regulator"，在文章的後面Table3
提到pass transistor 設計的尺寸W/L=4000 且只要流過10uA就可以得到Gmp=3.2mA/V
以及CGS=100pF CGD=26pF ‧我是使用hspice模擬單顆電晶體，發現至少需要Id=100uA
以上的電流才可以得到Gmp=mV/A等級的大小，還是我誤解他的意思，請各位先進指教一下
感謝
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1F：推 pdaer:單顆pk rario 4k? 07/13 17:14
2F：→ pdaer: ratio 07/13 17:14
3F：→ jeff0203:打錯了，W/L=40000 感謝指正 07/13 17:15
4F：推 jamtu:這是不可能的 物理上的極限BJT的gm/ID是40 07/13 23:04
5F：→ jamtu:MOS最多是25~30 07/13 23:04
6F：→ jamtu:除非你講的不是gm而是1/ron 07/13 23:05
7F：→ jamtu:你check一下她那是不是simulation result 07/13 23:05
8F：→ jamtu:還有他是用哪一種model 07/13 23:06
11F：→ jeff0203:0.35 商業製程，沒特別寫是哪家 07/13 23:17
12F：→ jeff0203:連結錯誤了 07/13 23:18
15F：推 jamtu:我看了一下論文 我有很大的把握他Gmp寫錯 07/14 08:54
16F：→ jamtu:不知這是否會影響最後的結果? 07/14 08:54
17F：→ jamtu:我比較好奇的是gmp不是會隨著Iload改變嗎 07/14 08:57
18F：→ jamtu:你拿他的量測圖去trace一下或許可以找到答案 07/14 08:57
19F：→ jamtu:我不是LDO專業 對參數怎麼動不了解 07/14 08:58
20F：→ jamtu:但我確定10uA不可能有3.2mA/V的Gm值 07/14 08:58
21F：→ jamtu:有可能他是有點瑕疵的分析但是得到正確答案 07/14 08:59
22F：→ jeff0203:那CGD 和CGS 是對的嗎? 因為這兩個結果會影響頻率響應?! 07/14 09:06
23F：→ jeff0203:我用Spice跑出來的結果與他的結果差異很大 07/14 09:08
24F：→ jeff0203:gmp會隨著Iout變動，但是她後面@Iout=0mA 這時候看左邊 07/14 09:10
25F：→ jeff0203:Table2 Mp 他的電流流Id=10uA 07/14 09:11
26F：推 jamtu:製程不同結果當然不同 07/14 12:48
27F：推 mos888tw:論文會不會是指單位w/l之下流過10uA? 07/14 21:21
28F：→ mos888tw:例如0.5um製程1/0.5流過10uA併4000顆?! 07/14 21:22
29F：→ mos888tw:沒看過論文內容 所以只是瞎猜路過 07/14 21:22