作者jeff0203 (fox)
看板Electronics
标题[问题]关於某篇文章设计capless LDO 的 PMOS
时间Sun Jul 13 17:11:18 2014
各位先进们
请问有谁拜读过Robert J. Milliken 在 IEEE Transaction on circuit and system
在2007年"Full on-chip CMOS Low-Dropout Voltage Regulator"，在文章的後面Table3
提到pass transistor 设计的尺寸W/L=4000 且只要流过10uA就可以得到Gmp=3.2mA/V
以及CGS=100pF CGD=26pF ‧我是使用hspice模拟单颗电晶体，发现至少需要Id=100uA
以上的电流才可以得到Gmp=mV/A等级的大小，还是我误解他的意思，请各位先进指教一下
感谢
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1F：推 pdaer:单颗pk rario 4k? 07/13 17:14
2F：→ pdaer: ratio 07/13 17:14
3F：→ jeff0203:打错了，W/L=40000 感谢指正 07/13 17:15
4F：推 jamtu:这是不可能的 物理上的极限BJT的gm/ID是40 07/13 23:04
5F：→ jamtu:MOS最多是25~30 07/13 23:04
6F：→ jamtu:除非你讲的不是gm而是1/ron 07/13 23:05
7F：→ jamtu:你check一下她那是不是simulation result 07/13 23:05
8F：→ jamtu:还有他是用哪一种model 07/13 23:06
11F：→ jeff0203:0.35 商业制程，没特别写是哪家 07/13 23:17
12F：→ jeff0203:连结错误了 07/13 23:18
15F：推 jamtu:我看了一下论文 我有很大的把握他Gmp写错 07/14 08:54
16F：→ jamtu:不知这是否会影响最後的结果? 07/14 08:54
17F：→ jamtu:我比较好奇的是gmp不是会随着Iload改变吗 07/14 08:57
18F：→ jamtu:你拿他的量测图去trace一下或许可以找到答案 07/14 08:57
19F：→ jamtu:我不是LDO专业 对参数怎麽动不了解 07/14 08:58
20F：→ jamtu:但我确定10uA不可能有3.2mA/V的Gm值 07/14 08:58
21F：→ jamtu:有可能他是有点瑕疵的分析但是得到正确答案 07/14 08:59
22F：→ jeff0203:那CGD 和CGS 是对的吗? 因为这两个结果会影响频率响应?! 07/14 09:06
23F：→ jeff0203:我用Spice跑出来的结果与他的结果差异很大 07/14 09:08
24F：→ jeff0203:gmp会随着Iout变动，但是她後面@Iout=0mA 这时候看左边 07/14 09:10
25F：→ jeff0203:Table2 Mp 他的电流流Id=10uA 07/14 09:11
26F：推 jamtu:制程不同结果当然不同 07/14 12:48
27F：推 mos888tw:论文会不会是指单位w/l之下流过10uA? 07/14 21:21
28F：→ mos888tw:例如0.5um制程1/0.5流过10uA并4000颗?! 07/14 21:22
29F：→ mos888tw:没看过论文内容 所以只是瞎猜路过 07/14 21:22