※ 引述《eternalchi (chi)》之銘言： : 最近在找業界為啥還是會使用直接降頻系統有找到一些解釋: : 其中對閃爍雜訊的修正也有找到一些想法 : 閃爍雜訊(flicker noise)，也就是1/f雜訊，為主要的基頻帶雜訊來源，伴隨直流信號路 : 徑，它的頻譜反應與1/f成正比，在射頻線路中，1/f雜訊通常會調變到射頻信號上，而在 : 採用基頻帶輸出混波器的情況下，1/f雜訊會有特別高的轉換增益，在實際應用時，閃爍 : 雜訊對MOS元件的影響高過雙極式元件，通常會以與閘極串連的電壓源來看待。1/f雜訊會 : 使得在高頻線路部份使用MOS的作法複雜化，原因是要將它在MOS製程中降低的主要方法是 : 加大電晶體的尺寸，但這樣做則會增加元件的電容值，從而影響到射頻增益，因此，在 : DCR混波器設計上比較喜歡採用雙極性電晶體，而在混波器後的第一個基頻帶電路中，由 : 於在低頻情況下電晶體的體積問題還是可行，因此可以採用MOS元件。 : 想詢問一下 : Q1:1/f雜訊會有特別高的轉換增益是什麼意思??? 你理解錯誤了 原文是指出，為了降低1/f noise，必須加大MOS尺寸 因為MOS的1/f noise跟尺寸成反比 而加大尺寸會造成其寄生電容變大 影響到電路設計時射頻的增益 (Z = 1/sC, gain = gm*Z) : Q2:DCR混波器設計上比較喜歡採用雙極性電晶體，為什麼會有這種說法，有公式驗證? : 謝謝大家!!! BJT的1/f noise比較小　可以網路搜尋查閱相關的資料 --

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