※ 引述《eternalchi (chi)》之铭言： : 最近在找业界为啥还是会使用直接降频系统有找到一些解释: : 其中对闪烁杂讯的修正也有找到一些想法 : 闪烁杂讯(flicker noise)，也就是1/f杂讯，为主要的基频带杂讯来源，伴随直流信号路 : 径，它的频谱反应与1/f成正比，在射频线路中，1/f杂讯通常会调变到射频信号上，而在 : 采用基频带输出混波器的情况下，1/f杂讯会有特别高的转换增益，在实际应用时，闪烁 : 杂讯对MOS元件的影响高过双极式元件，通常会以与闸极串连的电压源来看待。1/f杂讯会 : 使得在高频线路部份使用MOS的作法复杂化，原因是要将它在MOS制程中降低的主要方法是 : 加大电晶体的尺寸，但这样做则会增加元件的电容值，从而影响到射频增益，因此，在 : DCR混波器设计上比较喜欢采用双极性电晶体，而在混波器後的第一个基频带电路中，由 : 於在低频情况下电晶体的体积问题还是可行，因此可以采用MOS元件。 : 想询问一下 : Q1:1/f杂讯会有特别高的转换增益是什麽意思??? 你理解错误了 原文是指出，为了降低1/f noise，必须加大MOS尺寸 因为MOS的1/f noise跟尺寸成反比 而加大尺寸会造成其寄生电容变大 影响到电路设计时射频的增益 (Z = 1/sC, gain = gm*Z) : Q2:DCR混波器设计上比较喜欢采用双极性电晶体，为什麽会有这种说法，有公式验证? : 谢谢大家!!! BJT的1/f noise比较小　可以网路搜寻查阅相关的资料 --

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