作者dry123 (dry123)
看板Electronics
標題[問題] 重摻矽晶圓
時間Mon Feb 1 00:08:34 2016
請問為什麼功率元件主要基板
都是用重摻矽(hevily doped silicon)
相較於一般IC
另外，重摻矽在製程上似乎比一班摻雜的矽晶圓還要容易汙染別片
需獨立出來機台或是設備，好像還會使密封的技術(back sealed)
是因為他濃度較高的關係嗎
請教各位
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1F：推 jfsu: 跟breakdown voltage 有關 02/01 02:07
2F：推 ventress: drain在底部 02/03 23:02