作者dry123 (dry123)
看板Electronics
標題[問題] 費米能階的移動方向
時間Fri Feb 15 16:48:31 2019
半導體的教科書都會寫
在讀MOS電容器的做動原理時
在Metal部分加負偏壓時，
Metal部分的費米能階的移動方向是往"上"，
同時，Semiconductor部分，連接氧化層的一端的傳導帶、本質能階以及價帶都會一起往"
上"平移，
但遠離氧化層的一端的傳導帶、本質能階以及價帶都不動。
但是Semiconductor部分的費米能階是整個平移
有疑問的地方是：
1.為何在Metal部分加負偏壓時，METAL的費米能階整個都在動
而Semiconductor部分只有連接氧化層的一端的能帶會動
且Semiconductor部分的費米能階整個平移?
物理原理怎解釋?
2.移動方向的問題。
加了負偏壓灌入電子後，為何會往"上"移動
此兩個問題請教各位，謝謝！
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※ 編輯: dry123 (180.217.128.147), 02/15/2019 16:49:53
1F：推 timmerix: 1. 金屬的電荷只會聚集在接面 沒有內部電子濃度不均的 02/15 18:33
2F：→ timmerix: 情況 也就是金屬的導帶不會"彎" 02/15 18:34
3F：→ timmerix: 2. 因為往上代表電子能量越高 加負偏壓對電子來說就是 02/15 18:35
4F：→ timmerix: 位能高 02/15 18:35
5F：推 JunDT2008: 費米能階是代表有一半電子數在此之上 02/16 20:16