作者dry123 (dry123)
看板Electronics
标题[问题] 费米能阶的移动方向
时间Fri Feb 15 16:48:31 2019
半导体的教科书都会写
在读MOS电容器的做动原理时
在Metal部分加负偏压时，
Metal部分的费米能阶的移动方向是往"上"，
同时，Semiconductor部分，连接氧化层的一端的传导带、本质能阶以及价带都会一起往"
上"平移，
但远离氧化层的一端的传导带、本质能阶以及价带都不动。
但是Semiconductor部分的费米能阶是整个平移
有疑问的地方是：
1.为何在Metal部分加负偏压时，METAL的费米能阶整个都在动
而Semiconductor部分只有连接氧化层的一端的能带会动
且Semiconductor部分的费米能阶整个平移?
物理原理怎解释?
2.移动方向的问题。
加了负偏压灌入电子後，为何会往"上"移动
此两个问题请教各位，谢谢！
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※ 编辑: dry123 (180.217.128.147), 02/15/2019 16:49:53
1F：推 timmerix: 1. 金属的电荷只会聚集在接面 没有内部电子浓度不均的 02/15 18:33
2F：→ timmerix: 情况 也就是金属的导带不会"弯" 02/15 18:34
3F：→ timmerix: 2. 因为往上代表电子能量越高 加负偏压对电子来说就是 02/15 18:35
4F：→ timmerix: 位能高 02/15 18:35
5F：推 JunDT2008: 费米能阶是代表有一半电子数在此之上 02/16 20:16