作者Philethan (Ethan)
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標題Re: [問題] 半導體物理的一些基本問題
時間Fri Aug 30 03:26:48 2019
※ 引述《yiting428 ()》之銘言:
: 大家好
: 在林昀的電子學裡面有寫到
: 1.
: 「複合物半導體(ex. GaAs)自由電子移動速率甚快於矽,故適合於高速電路或微波元件?
: 想請問若價電子都同樣已躍遷到傳導帶成為自由電子
: 為什麼不同晶體的自由電子移動率會不同?
: 是跟晶體結構有關係嗎?
: 如果可以希望能有詳細一點的解說
關於 mobility...
長話短說:一切都跟能帶結構有關。
嗯,我相信這大家都知道,所以底下我就分享些最近粗略了解的細節:
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例如假設電子一開始在 Gamma valey 且k=0,即 E=Ec。那接下來它會在
自由飛行一段時間後,就會經歷散射。以你說得 GaAs 為例,裡面"主要
的"散射機制有:
Intravalley scattering(傳導帶內部):
1. Acoustic phonon scattering
2. Polar optical phonon scattering
Intervalley scattering(傳導帶之間):
1. Equivalent,如(000) & (000)
2. Non-equivalent,如(100) & (000)
然後各自又可細分為 Acoustic/polar/non-polar phonon scattering
因此每個電子往前飛時,會有一定機率被散射。散射後又繼續飛,
同時又受電場加速,又散射。如果你模擬上千上萬個電子在均勻電
場下的速度與時間關係,那麼你可以算出電子在該電場下的平均飽
和速度。接著換別的電場繼續模擬,就可以做出常見的漂移速度與
電場的圖,而 mobility 不過是描述漂移速度與電場的關係而已。
那麼這些散射機制被什麼決定呢?底下隨便說些不專業的想法,純
粹是我讀了一些 transition probability 後得來的心得 XD
1. 不同 (E,k) 的 Bloch function 的重疊程度
2. 通常是考慮彈性散射,所以聲子能量也得跟能階匹配
3. 能帶的形狀很重要,這有兩種意涵。
首先是 spherical & ellipsoidal 的差別,例如 E = (hbar*k)^2/2m,
這就是所謂的 spherical band。但有些則是有 longitudinal & transverse
mass 的概念在裡頭,如 E = (hbar*kt)^2 / 2mt + (hbar*kl)^2 / 2ml
這種能帶就是所謂的 Ellipsoidal band。再來是 parabolicity 的差異。
例如剛提到的 E = (hbar*k)^2/2m,這就是拋物近似,但缺點是沒辦法
用在更高能量的地方,所以這時會用到下述寫法:
E * (1 + alpha * E) = (hbar*k)^2/2m
這種能量形式就稱為 non-parabolic,比較適用於需要描述強電場的時候,
例如 impact ionization rate 很大時,通常就會需要這種更準確的描述。
4. GaAs 這東西是極性半導體,所以在 Phonon scattering 中,
除了常見的晶格震盪造成的 deformation-potential interaction 以外,
還會有所謂的 Electrostatic interaction。這就很複雜了 you know。
所以才會有剛才提到的 "Polar optical phonon scattering"。相關的
還有 Ascoustic, piezoelectric phonon scattering。
5. Ionized impurity scattering
6. Plasmon-Phonon coupling
7. Electron-Hole interaction
...............
所以電子速度到底是怎樣產生的呢?
1. 電子出現了!
2. 飛了一段時間(hbar * dk/dt = -eE)
3. 跑到了新的 k 位置,所以根據不同能帶形狀,有著對應的新的能量E。
記得這時還在自己原本的能帶中,例如 Gamma valley。
4. 所以跑了"多遠"?就把上述前後能量差除以受力,eE,就是位移。
5. 所以這趟平均速度如何?就是把位移除以時間,並記錄!
6. 然後這時就要被散射拉,有很多機率,散射之後你跑到了新的 (E,k)
7. 繼續飛~~~~~飛了一段時間,...重複(2)。
於是你就有一連串 k(t), E(t), x(t), V(t) 了。
然後你把速度拿來統計處理一下就可以找到 mobility 了。
所以為什麼A的mobility比B的大呢?
嗯,我也不知道...我覺得要能夠對這種現象給出正確的定性解釋,
真的超難的......我只知道它大致的由來而已QQ希望有回答到哦
: 2.
: 在費米能階之費米迪拉克分布機率為0.5
: 可是費米能階又是在介於價帶與導帶的能隙之中
: 所以電子應該不可能會有Ef這樣的能態吧?
: 那為什麼分布機率會是0.5?
: 為什麼離散的能階可以和連續的分布函數圖形有關係?
: 謝謝
你可以看 Ashcroft & Mermin 那本固態物理,好像是第二還第三章就有
這東西的推導。第一次讀可能讀不太懂,讀個十次大概就有fu了XD 雖然
像是 Griffiths 量子物理課本也會有,不過我覺得那種「fu」不太一樣
就是。
話說回來,其實我覺得這是有點誤會了
「在費米能階之費米迪拉克分布機率為0.5」
這看起來好像是在說,存在著一種能階,叫做費米能階(Fermi level),
而在這能階上的電子出現機率為0.5。這裡需要釐清很多細微觀念。
1. 費米能階是什麼?
你所指的東西,嚴格來說叫做電化學位能(electrochemical potential)。
它就是個跟重力位能、電位能很相似的東西,靜止的正電荷會自發地從高電位
移動到低電位,我們用電位來描述這種電荷的自發運動現象。物質會從高濃度
自發(機率問題)擴散到低濃度,我們就用化學位能來描述這種現象。因此,在
半導體物理中,我們就用你看的電化學位能來描述電子會自發地從某處跑到某
處的現象,就好比金屬跟半導體接觸時,電子會自己從高費米能階的物質移動
到低費米能階的物質那樣。熱平衡時,就是兩端電化學位能相同的時候。而如
果是通電壓的半導體元件,如二極體,這時有電流了,會生熱了,系統不封閉了。
即便考慮外界也會因為持續生熱而沒達到熱平衡,所以這是個非熱平衡但達穩
態的系統,這時費米能階,或說電化學位能就沒意義了,取而代之的是
Quasi-fermi level。有趣的是你可以用這東西的梯度來看出電流會往哪流,這
充分展現了他作為"位能"的價值,雖然這是個無法事先計算而只有象徵圖解意義
的馬後砲概念。
因此,費米能階真的是能階嗎?不是。真正的能階是你看到的Ec以上與Ev以下,
或是能隙中的 impurity level,還是什麼surface state、interface state等
等的。
2. Fermi-dirac distribution 是啥?
假設矽的電子能階只能有 E1, E2, .., Ev 以及 Ec, .... 之類的"離散能階"。
那麼你就可以根據統計力學中的 Canonical ensemble theory 推出電子
在上述這些離散能階中的機率(每個能階只能有1個電子,這裡我將不同
自旋但相同能量的"level",視為不同的能階))。然後,假設這系統總
共有N個電子,那麼第i個能階有電子的機率為 f(N,i),經過很多推導,
你會發現(詳見Ashcroft & Mermin p.41):
f(N,i) = 1 - exp[(Ei-μ)/kT] * f(N+1,i)
注意:上述Ei是
離散的能階的能量。
其中μ為electrochemical potential,定義為在N個電子的矽的系統中,
加入一個電子所需要提供的 Helmholtz free energy。總之就是你要給它
能量讓它能包容這新來的電子就是了。
然後呢?剛才的 f(N,i) 就是 Fermi-Dirac distribution。在這裡你
可以看見,那個能量 Ei 確實只有你所認定的「能夠佔據的能階」才有
意義。假如 Ev ~ Ec 沒有能階,那就不能夠在上式中討論那種 Ei,因為
根本就不存在。
最後,我們說因為 N >>>> 1,所以就可以進一步化簡為你課本上看到的
那樣了。
f(i) = 1 / {exp[(Ei-μ)/kT] + 1}
所以如果你這時把μ解釋為「能夠讓電子占據機率為0.5的能階」,這
真的是錯誤的說法,因為並沒有這種能階。當然你說有沒有可能剛好有個
trap level 在這?好吧,確實有可能,不過那也是這種特例。
3. 什麼是 Fermi energy?它跟 Fermi level 有啥關係?
其實這兩個是完全不一樣的東西。Fermi energy 是指,在0K時且熱平衡時
系統中的最大電子能量。不過呢,在0K時,Fermi energy & Fermi level 恰好
會差不多就是,這點你可以從 Fermi-Dirac distribution 中看出來。
: 所以電子應該不可能會有Ef這樣的能態吧?
嗯嗯可以說沒有
: 那為什麼分布機率會是0.5?
只是個美麗的誤會,比較好記憶,不然一般來說,很難有老師能理解那麼多
什麼 electrochemical potential 什麼 Holmholtz free energy 的概念。
講了這些同學也不懂,不如反過來利用該函數本身的機率意義來賦予 mu 值
意義,只是這樣其實還是什麼也沒說到,循環定義了。就好像牛頓在他書本
給的第一個質量定義:質量就是密度乘體積。哦,那什麼是密度?密度就是
質量除以體積,所以後來 Ernst Mach 才進一步提出了全新的質量定義...(扯遠了
: 為什麼離散的能階可以和連續的分布函數圖形有關係?
其實這也是美麗的誤會,Fermi-Dirac distribution 嚴格來說也不是連續的哦。
它的 energy 也只能代入離散的能量,如上所述。
: 謝謝
希望有回答到你問題哦,拍謝講了一堆。
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