各位好，目前在電路分析上遇到了一些瓶頸，所以想來版上詢問。 最近在設計電路時發現在高頻時的增益不如預期，所以開始研究常見的交叉耦合對，也就 是所謂的cross-coupled pair當作負載來提升增益的方法，但還是有幾個問題搞不懂。 底下附圖已經把cross-coupled的小信號分析給畫出來。左半邊是考慮到非理想效應的參 數ro；右邊則是理想情況。 1.有關提升增益的部分，我知道是因為引入負電阻的關係，所以只要讓2個在分母的gm相 減變小，就可以得到比沒有使用cross-coupled結構還要大的增益。就如附圖理想情況下 的gm3和gm6。我不太明白的是就小信號分析的結果來看，gm3應該要大於gm6嗎?所以M3的 尺寸應該會比M6的尺寸大一點點，不知道我這樣理解是否正確? 2.考慮到差動的對稱特性，M3尺寸是否等於M4；同理M5尺寸會等於M6? 3.在論文中常看到，設計這種cross-coupled結構時，上面當作負載的4顆pmos的尺寸設計 很容易影響到放大的範圍，若是超出那個範圍的話增益可能還不如一般的放大器。請問這 裡的範圍有沒有方法進行分析或計算? 本人目前是使用spice 180nm製程進行模擬，還請版上各位大大多多指導。 https://i.imgur.com/gK5bSMw.jpg --

※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 114.46.146.120 (臺灣) ※ 文章網址: https://webptt.com/m.aspx?n=bbs/Electronics/M.1594057293.A.84E.html