各位好，目前在电路分析上遇到了一些瓶颈，所以想来版上询问。 最近在设计电路时发现在高频时的增益不如预期，所以开始研究常见的交叉耦合对，也就 是所谓的cross-coupled pair当作负载来提升增益的方法，但还是有几个问题搞不懂。 底下附图已经把cross-coupled的小信号分析给画出来。左半边是考虑到非理想效应的参 数ro；右边则是理想情况。 1.有关提升增益的部分，我知道是因为引入负电阻的关系，所以只要让2个在分母的gm相 减变小，就可以得到比没有使用cross-coupled结构还要大的增益。就如附图理想情况下 的gm3和gm6。我不太明白的是就小信号分析的结果来看，gm3应该要大於gm6吗?所以M3的 尺寸应该会比M6的尺寸大一点点，不知道我这样理解是否正确? 2.考虑到差动的对称特性，M3尺寸是否等於M4；同理M5尺寸会等於M6? 3.在论文中常看到，设计这种cross-coupled结构时，上面当作负载的4颗pmos的尺寸设计 很容易影响到放大的范围，若是超出那个范围的话增益可能还不如一般的放大器。请问这 里的范围有没有方法进行分析或计算? 本人目前是使用spice 180nm制程进行模拟，还请版上各位大大多多指导。 https://i.imgur.com/gK5bSMw.jpg --

※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc), 来自: 114.46.146.120 (台湾) ※ 文章网址: https://webptt.com/cn.aspx?n=bbs/Electronics/M.1594057293.A.84E.html