作者WetDreamZZZ (夢中夢)
看板Electronics
標題[問題] 弱反轉的熱雜訊比強反轉的大多少
時間Mon Sep 26 12:38:21 2022
根據熱雜訊的公式
當MOSFET操作在weak inversion的時候
原本在strong inversion的雜訊公式
會變成下面的形式
https://imgur.com/a/1IWa4w3
想問的是 這邊的n就是subthreshold的gm=Id/(nVt)內的ｎ嗎？
如果是的話 那n通常為1.5 乘上2kT後應該和strong inversion的4KT*係數差不多大
但怎麼在用spectre實際模擬時
只要進到subthreshold跑出來的雜訊都是strong inversion的十倍甚至更大？
再次謝謝各位！
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1F：→ smartbit: 先看看model 準不準，很多舊的製程sub threshold 這方 09/26 18:29
2F：→ smartbit: 面很差 09/26 18:29
3F：推 jamtu: 通常是更小，你記得模擬要看input-referred noise 09/27 11:50
4F：→ jamtu: 另外你要給定電流模擬做比較，或是同樣gm做比較 09/27 11:50
5F：→ jamtu: 不可以用電壓bias的方法去做，這樣容易出錯 09/27 11:51