作者WetDreamZZZ (梦中梦)
看板Electronics
标题[问题] 弱反转的热杂讯比强反转的大多少
时间Mon Sep 26 12:38:21 2022
根据热杂讯的公式
当MOSFET操作在weak inversion的时候
原本在strong inversion的杂讯公式
会变成下面的形式
https://imgur.com/a/1IWa4w3
想问的是 这边的n就是subthreshold的gm=Id/(nVt)内的ｎ吗？
如果是的话 那n通常为1.5 乘上2kT後应该和strong inversion的4KT*系数差不多大
但怎麽在用spectre实际模拟时
只要进到subthreshold跑出来的杂讯都是strong inversion的十倍甚至更大？
再次谢谢各位！
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1F：→ smartbit: 先看看model 准不准，很多旧的制程sub threshold 这方 09/26 18:29
2F：→ smartbit: 面很差 09/26 18:29
3F：推 jamtu: 通常是更小，你记得模拟要看input-referred noise 09/27 11:50
4F：→ jamtu: 另外你要给定电流模拟做比较，或是同样gm做比较 09/27 11:50
5F：→ jamtu: 不可以用电压bias的方法去做，这样容易出错 09/27 11:51