作者KEVEN0906 (A_KEVEN)
看板OverClocking
標題[請益] 小弟最近在研究SDRAM的指令 有些疑問想請教各位大大!!
時間Thu Dec 17 23:16:15 2009
小弟最近想要了解SDRAM的一些指令 發現有一些疑惑 辜狗大師又是找到一些簡體字
的文章,越看越不懂,希望各位大大可以幫忙解惑一下!
1. 為什麼在讀指令下的時候 會有CL的延遲? 是和儲存單元的架構有關嗎?
2. 那有讀指令有CL的延遲 寫指令怎麼沒有延遲的問題?
3. precharge和refresh的意義有點不太懂 可以說明一下什麼意義嗎?
4. 然後我看一些簡體文的討論區 有說寫為了要讓效率更好 所以會有自動
預充電(precharge)命令 但文章中都是show出讀命令和預充電(precharge)
的時脈圖 但沒有show出寫命令和預充電的時脈圖 是因為寫命令和預充電
不能一起工作嗎?
5. 是否目前市面有繁體的書在說明這些命令的時脈圖可供參考?
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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 122.120.5.220
1F：→ butthad :這個真的有點太專業了 @@" 要請高手解釋 12/17 23:53
2F：推 tgtgl :好深澳 12/18 00:17
3F：→ rockman112 :對我更是無解XD" 12/18 00:22
4F：→ Jay915 :這說來話長，你要看時序圖，它先收到位址令才傳資料 12/18 10:17
5F：推 no1no1leo :Electronics版 要全部都了解史密斯也能幫上一點忙 12/18 12:16
6F：→ butthad :誰抓啦史密斯 12/18 19:11
7F：→ ppa :write要先active~而write完要precharge 12/19 00:48
8F：→ ppa :refresh就是讓cell重新將電壓校正至準位1.5V or 0V 12/19 00:49
9F：→ ppa :CL=CAS LATENCY 12/19 00:51
10F：推 chi731022 :precharge 是對 bitline，目的是預設 sensing 準位 12/20 15:40
11F：→ chi731022 :refresh 是對 cell storage node ，目的再恢復讀取 12/20 15:40
12F：推 chi731022 :時的電容漏電 12/20 15:45
13F：→ chi731022 :refresh 是將電容校正至vdd or gnd 12/20 15:49
14F：→ chi731022 :precharge 是預充電至 0.5*vdd 12/20 15:50