作者KEVEN0906 (A_KEVEN)
看板OverClocking
标题[请益] 小弟最近在研究SDRAM的指令 有些疑问想请教各位大大!!
时间Thu Dec 17 23:16:15 2009
小弟最近想要了解SDRAM的一些指令 发现有一些疑惑 辜狗大师又是找到一些简体字
的文章,越看越不懂,希望各位大大可以帮忙解惑一下!
1. 为什麽在读指令下的时候 会有CL的延迟? 是和储存单元的架构有关吗?
2. 那有读指令有CL的延迟 写指令怎麽没有延迟的问题?
3. precharge和refresh的意义有点不太懂 可以说明一下什麽意义吗?
4. 然後我看一些简体文的讨论区 有说写为了要让效率更好 所以会有自动
预充电(precharge)命令 但文章中都是show出读命令和预充电(precharge)
的时脉图 但没有show出写命令和预充电的时脉图 是因为写命令和预充电
不能一起工作吗?
5. 是否目前市面有繁体的书在说明这些命令的时脉图可供参考?
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◆ From: 122.120.5.220
1F：→ butthad :这个真的有点太专业了 @@" 要请高手解释 12/17 23:53
2F：推 tgtgl :好深澳 12/18 00:17
3F：→ rockman112 :对我更是无解XD" 12/18 00:22
4F：→ Jay915 :这说来话长，你要看时序图，它先收到位址令才传资料 12/18 10:17
5F：推 no1no1leo :Electronics版 要全部都了解史密斯也能帮上一点忙 12/18 12:16
6F：→ butthad :谁抓啦史密斯 12/18 19:11
7F：→ ppa :write要先active~而write完要precharge 12/19 00:48
8F：→ ppa :refresh就是让cell重新将电压校正至准位1.5V or 0V 12/19 00:49
9F：→ ppa :CL=CAS LATENCY 12/19 00:51
10F：推 chi731022 :precharge 是对 bitline，目的是预设 sensing 准位 12/20 15:40
11F：→ chi731022 :refresh 是对 cell storage node ，目的再恢复读取 12/20 15:40
12F：推 chi731022 :时的电容漏电 12/20 15:45
13F：→ chi731022 :refresh 是将电容校正至vdd or gnd 12/20 15:49
14F：→ chi731022 :precharge 是预充电至 0.5*vdd 12/20 15:50