贊成這篇原PO的看法 其實也滿合理的 利用nitride較密實的特性來阻擋B亂跑 其實這個案子 就讓我想到以前我當IHPE和跨領域的困難 首先 如果是我寫這個案子 我會把3)4)合併為 forming a interfacelayer ....... 製造界面的技術很多種 這樣寫等於讓人很好迴避 再來 很多技術人往往把法律文字當技術文章再審 TIPO有外審 公司有自以為是的RD 學校有聽了幾堂專利課就胡上專利課程的老師 然後把專利搞的亂七八糟 然後教出來的學生和老師 觀念錯的一踏胡途 還不能說 所以有些人說在學校上過很多專利課 事務所寧可要一張白紙 就像黃茂榮老師說的 要慎選老師 要把垃圾掃出來比掃垃圾進去還難 呂老師的課是大補完 但上過課的我同學 都認為我說的是錯的 寧可不上 這些人進入研發公司 只能說IHPE就很可憐了 說不得的 因為IHPE地位低 只能寫一些自己都很難過的東西 運氣不好 還被拿出來公審 當大家都在說跨領域時 根本就是屁 只要你頂著光環就對了 其實蔡院長的課 也是很好笑 很多專利法並不是法學的法展 是研發的必然 兩者混為一談 但是也是一家之言 真正跨領域沒光環的人 為了飯碗 只能忍氣吞聲 最後 還有一個迷思 科技人常說我覺得寫錯了云云 法律人是法官或陪審團說了算 這個案子打官司 你就看兩群律師拿了大字典爭論remove這個字的意思 如果真如M大所云 呂老師在課堂上就否定了remove 我只能說 連美國的法官在markman之前都不敢說的 呂老師能一言就斷定 真的是年輕人 要早唸博士 然後出人頭地 不要在專利界奮鬥 沒前途的 ※ 引述《lightnsalt ("▔﹁▔)》之銘言： : ※ 引述《MasonT (MasonT)》之銘言： : : 標題: [閒聊] 有誰知道這件專利案件是哪家事務所辦的嗎??? : : 時間: Thu Jul 17 23:54:44 2008 : : 這兩天上課時拿到的資料, : : United States Patent 5,567,638 : : Lin, et al. October 22, 1996 : : 交大雷添福教授實驗室的成果, 由國科會出前申請, : : Method for suppressing boron penetration in PMOS : : with nitridized polysilicon gate : : 結果唯一的獨立項變成 : : 4) removing a layer of nitridized silicon which is generated by said : : nitridizing step 3) on said at least one first polysilicon layer; : : 多了一個 4) removing a layer of nitridized silicon ... 結果這項專利自己把 : : 最重要的步驟拿掉了, 所揭露的技術直接成為全人類共同擁有的技術. : : 有人知道這件案子的台灣事務所是哪一間? : : 是美國代理人那邊惡作劇? 還是台灣的事務所的問題? : : → MasonT:這是呂學士教授上課的資料,原來是呂學士教授不懂技術... 07/18 10:08 : : → MasonT:最好樓上兩位比呂學士還要懂啦, 呵呵... 07/18 10:09 : : → MasonT:我沒嗆聲,只是根據上面兩位所言,推論呂學士不懂技術..:p 07/18 10:30 : : → pasica:M兄是否要詳讀此篇美國專利以及台灣專利的實施例後，再提出 07/18 10:40 : : → pasica:而且如果M兄認為removing是錯的，是否可基於技術角度討論? 07/18 10:52 : 讀書讀久了，養成了考據的壞習慣。 : 專利文字方面： : 本項專利文字敘述可以從http://www.freepatentsonline.com/5567638.html : 查到。 : 在summary of the invention 中： : Between step3) and 4), a step of removing a layer of nitridized : silicon which is generated by the nitridizing step 3) on the : at least one first polysilicon layer with diluted HF : is further included. : 本項專利的根據論文： : YH Lin, CS Lai, CL Lee, TF Lei and TS Chao, : "Nitridization of the Stacked Poly-Si Gate to Suppress the Boron : Peneration in pMOS", : IEEE Trans on Electron Devices, Vol 43, No 7, July, 1996 : 其中II.Experimental: : .....a low pressure (120 mTorr) nitridation in NH3 at : 900 “C for 80 min was performed between poly I and poly : I1 for the sample “PHPP’ or between poly I1 and poly I11 for : the sample “PPHP’. The nitridized silicon films were soaked : in diluted HF (HF/H2O = 1/50) before the following poly-Si : layer deposition. : ....... : 技術方面： : 1. HF(concentrated or diluted) 可蝕刻 LPCVD nitride。 : 2. 本論文之nitridize polysilicon指的應該是nitrogen-rich的polysilicon : 而LPCVD nitride步驟是用以提高其下polysilicon 的nitrogen含量。 : 且 LPCVD nitride為絕緣體，若存在此層而未移除，上層polysilicon與下層 : polysilicon間無導通，電晶體應該無法作用（個人猜測） : 3. 另 : a） T. Kuroi, S. Kusunoki, M Shirahata, Y Okumura, M Kobayashi, : M Inuishi and N Tsuouchi, "The effects of nitrogen implantation into : P+ poly-silicon gate on gate oxide properties", Symp on VLSI Technology, : 1994 : b) TS Chao, MC Liaw, CH Chu, CY Chang, CH Chien, CP Hao and TF Lei, : "Mechanism of nitrogen coimplant for supressing boron peneration : in p+-polycrystalline silicon gate of p metal-oxide semiconductor : field effect transistor", Appl Phys Lett, 69(12), September 1996 : 這兩篇論文都是以離子佈值方式提高nitrogen原子在boron-doped poly-Si : gate的濃度，進而達到抑制boron diffusion的效果。 : 與本篇以LPCVD nitride sacrificial layer方式有異曲同工之處。 : 所以我認為該專利並沒有寫錯。 : 歡迎討論。 --

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