赞成这篇原PO的看法 其实也满合理的 利用nitride较密实的特性来阻挡B乱跑 其实这个案子 就让我想到以前我当IHPE和跨领域的困难 首先 如果是我写这个案子 我会把3)4)合并为 forming a interfacelayer ....... 制造界面的技术很多种 这样写等於让人很好回避 再来 很多技术人往往把法律文字当技术文章再审 TIPO有外审 公司有自以为是的RD 学校有听了几堂专利课就胡上专利课程的老师 然後把专利搞的乱七八糟 然後教出来的学生和老师 观念错的一踏胡途 还不能说 所以有些人说在学校上过很多专利课 事务所宁可要一张白纸 就像黄茂荣老师说的 要慎选老师 要把垃圾扫出来比扫垃圾进去还难 吕老师的课是大补完 但上过课的我同学 都认为我说的是错的 宁可不上 这些人进入研发公司 只能说IHPE就很可怜了 说不得的 因为IHPE地位低 只能写一些自己都很难过的东西 运气不好 还被拿出来公审 当大家都在说跨领域时 根本就是屁 只要你顶着光环就对了 其实蔡院长的课 也是很好笑 很多专利法并不是法学的法展 是研发的必然 两者混为一谈 但是也是一家之言 真正跨领域没光环的人 为了饭碗 只能忍气吞声 最後 还有一个迷思 科技人常说我觉得写错了云云 法律人是法官或陪审团说了算 这个案子打官司 你就看两群律师拿了大字典争论remove这个字的意思 如果真如M大所云 吕老师在课堂上就否定了remove 我只能说 连美国的法官在markman之前都不敢说的 吕老师能一言就断定 真的是年轻人 要早念博士 然後出人头地 不要在专利界奋斗 没前途的 ※ 引述《lightnsalt ("▔﹁▔)》之铭言： : ※ 引述《MasonT (MasonT)》之铭言： : : 标题: [闲聊] 有谁知道这件专利案件是哪家事务所办的吗??? : : 时间: Thu Jul 17 23:54:44 2008 : : 这两天上课时拿到的资料, : : United States Patent 5,567,638 : : Lin, et al. October 22, 1996 : : 交大雷添福教授实验室的成果, 由国科会出前申请, : : Method for suppressing boron penetration in PMOS : : with nitridized polysilicon gate : : 结果唯一的独立项变成 : : 4) removing a layer of nitridized silicon which is generated by said : : nitridizing step 3) on said at least one first polysilicon layer; : : 多了一个 4) removing a layer of nitridized silicon ... 结果这项专利自己把 : : 最重要的步骤拿掉了, 所揭露的技术直接成为全人类共同拥有的技术. : : 有人知道这件案子的台湾事务所是哪一间? : : 是美国代理人那边恶作剧? 还是台湾的事务所的问题? : : → MasonT:这是吕学士教授上课的资料,原来是吕学士教授不懂技术... 07/18 10:08 : : → MasonT:最好楼上两位比吕学士还要懂啦, 呵呵... 07/18 10:09 : : → MasonT:我没呛声,只是根据上面两位所言,推论吕学士不懂技术..:p 07/18 10:30 : : → pasica:M兄是否要详读此篇美国专利以及台湾专利的实施例後，再提出 07/18 10:40 : : → pasica:而且如果M兄认为removing是错的，是否可基於技术角度讨论? 07/18 10:52 : 读书读久了，养成了考据的坏习惯。 : 专利文字方面： : 本项专利文字叙述可以从http://www.freepatentsonline.com/5567638.html : 查到。 : 在summary of the invention 中： : Between step3) and 4), a step of removing a layer of nitridized : silicon which is generated by the nitridizing step 3) on the : at least one first polysilicon layer with diluted HF : is further included. : 本项专利的根据论文： : YH Lin, CS Lai, CL Lee, TF Lei and TS Chao, : "Nitridization of the Stacked Poly-Si Gate to Suppress the Boron : Peneration in pMOS", : IEEE Trans on Electron Devices, Vol 43, No 7, July, 1996 : 其中II.Experimental: : .....a low pressure (120 mTorr) nitridation in NH3 at : 900 “C for 80 min was performed between poly I and poly : I1 for the sample “PHPP’ or between poly I1 and poly I11 for : the sample “PPHP’. The nitridized silicon films were soaked : in diluted HF (HF/H2O = 1/50) before the following poly-Si : layer deposition. : ....... : 技术方面： : 1. HF(concentrated or diluted) 可蚀刻 LPCVD nitride。 : 2. 本论文之nitridize polysilicon指的应该是nitrogen-rich的polysilicon : 而LPCVD nitride步骤是用以提高其下polysilicon 的nitrogen含量。 : 且 LPCVD nitride为绝缘体，若存在此层而未移除，上层polysilicon与下层 : polysilicon间无导通，电晶体应该无法作用（个人猜测） : 3. 另 : a） T. Kuroi, S. Kusunoki, M Shirahata, Y Okumura, M Kobayashi, : M Inuishi and N Tsuouchi, "The effects of nitrogen implantation into : P+ poly-silicon gate on gate oxide properties", Symp on VLSI Technology, : 1994 : b) TS Chao, MC Liaw, CH Chu, CY Chang, CH Chien, CP Hao and TF Lei, : "Mechanism of nitrogen coimplant for supressing boron peneration : in p+-polycrystalline silicon gate of p metal-oxide semiconductor : field effect transistor", Appl Phys Lett, 69(12), September 1996 : 这两篇论文都是以离子布值方式提高nitrogen原子在boron-doped poly-Si : gate的浓度，进而达到抑制boron diffusion的效果。 : 与本篇以LPCVD nitride sacrificial layer方式有异曲同工之处。 : 所以我认为该专利并没有写错。 : 欢迎讨论。 --

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