作者orsonplus (orson)
看板Patent
標題Re: [問題] 有關專利範圍的文字表達
時間Fri Jun 4 09:06:45 2010
※ 引述《falltasitic (天然呆>"<)》之銘言：
: 假設有一個半導體結構
: A層下面是B層
: A層設計的比B層還要短（技術特徵）
: 負責改我稿件的主管建議我寫成下面這樣
: 1、一個XXX結構，其包含：
: 一A層，‥‥‥
: 一‥‥‥B層，‥‥為凸出結構
...(略)
: 而且A層和B層是平行相接的
...(略)
███████ (A)
███████████ (B)
███████ (A)
███████████ (B)
███████ (A)
███████████ (B)
███████ (A)
█████ (B)
要是哪一種?
還是都要保護?
--
※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc)
◆ From: 61.230.1.155
※ 編輯: orsonplus 來自: 61.230.1.155 (06/04 09:08)
1F：推 forcomet:不只這樣 如果在空白區域就填上無用的材料 就很有可能迴 06/04 09:35
2F：→ forcomet:避掉突出的部分 06/04 09:36
3F：→ VanDeLord:囧rz... 06/04 09:49
4F：推 piglauhk:寫凸出結構沒問題 但建議更為"一凸出結構" 然後再於說明 06/04 09:55
5F：→ piglauhk:書定義 突出結構是相對於何表面作突出則可 06/04 09:56
6F：→ orsonplus:能供判斷的資料少了點,不知是否為邊沿突出?沒一個方向性 06/04 09:58
7F：→ gogohiro:因該A層左右端各設一條假想線 B層至少一端超過該假想線 06/04 10:06
8F：→ gogohiro:凸出有問題如果我B層下側面延伸一凸體B層是否叫也叫凸出 06/04 10:12
9F：推 forcomet:可以 非常確定 我處理過好幾個這種案子的US答辯 06/04 10:13
10F：→ sr0:好奇很久了想藉機問一下 如果在凸出結構前加個"一"字 06/04 16:57
11F：→ sr0:是固定用法嗎 我向來都沒加"一"耶 06/04 16:58
12F：→ sr0:還有 如果加這種數字 那不會被魯成"一個"凸出結構的意思嗎 06/04 16:59
13F：→ sr0:所以其他人弄兩~三個 多數個凸出結構上去 就不叫做"一個"了 06/04 17:00
14F：→ windsky:在功效沒有改變的情況下，也只是多數個"一凸出結構"，可能 06/04 18:24
15F：→ windsky:被視為下位，功效又沒變不具進步性，依然視為在權利範圍內 06/04 18:25
16F：→ windsky:通常用"一/該"是對應於英文的a/the等冠詞(?) 會比較明確 06/04 18:27
17F：→ forman:可能都不是你圖上表達的這樣喔～這要問天然呆 06/04 19:28
18F：推 blueson:在原PO文章的推文中，已說明可用中心線、表面或相鄰面長度 06/04 19:59
19F：→ blueson:來做各種說明比較。以下方式參考看看： 06/04 19:59
20F：→ blueson:一B層，在一第一方向上具有一第一長度；以及 06/04 19:59
21F：→ blueson:一A層，與該B層相鄰而形成一接觸面，該接觸面在該第一方向 06/04 20:00
22F：→ blueson:具有一第二長度，該第二長度小於該第一長度。 06/04 20:00
23F：→ blueson:就算在空白區域填上其他材料C，C應該不會被認定是A層或B層 06/04 20:14
24F：→ blueson:若有好幾段左右分離的B層，有任一B層符合claim就算落入 06/04 20:14
25F：→ blueson:總之，寫完claim，要思考會不會被迴避，然後再加實施例 06/04 20:20
26F：→ blueson:再修改Claim，不斷反覆，不過這樣不符合IF寫案要快的原則 06/04 20:20
27F：推 blueson:離開IF後，已經很久沒寫案了，在IH也幾乎不處理申請案了 06/04 20:41
28F：→ blueson:我的經驗是寫claim原則之一在於"claim的用字最好是中性的" 06/04 20:41
29F：→ blueson:盡可能選擇大家會做相同解讀的"用字"，就是plain language 06/04 20:42