作者jgwihi ( )
看板Tech_Job
標題[討論] 能蝕刻出高深寬比的DRIE設備
時間Thu Jan 1 20:16:37 2015
請問一下
DRIE(Deep Reactive Ion Etching，深反應式離子蝕刻)設備
它可以在矽基板蝕刻出具有高深寬比，及良好垂直側壁
但如果想要在整片Wafer蝕刻出來的結果，深度要維持一致性
例如蝕刻深度要200μm，但整片wafer不同位置蝕刻的深度誤差要控制在1μm以下
即199μm~201μm之間，目前做出來的結果不容易達到，
側壁也能達到幾乎接近90°
請問有什麼設備機台，或是有更高階的設備，或產學單位可以達到這樣的規格要求呢？
謝謝。
補充：或是有蝕刻設備的廠商也請提供。目前知道辛耘。
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※ 發信站: 批踢踢實業坊(ptt.cc), 來自: 61.227.217.90
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1F：→ outzumin: ICP? lower pressure+higher plasma density 01/01 20:23
2F：推 deepee258: 3DIC嗎？ 01/01 20:26
3F：→ jgwihi: ICP有用到SF6、 C4F8，DRIE用到SF6、 C4F8,3DIC或MEMS 01/01 20:31
※ 編輯: jgwihi (61.227.217.90), 01/01/2015 20:34:39
4F：推 lewecool: 你要咬tsv的via嗎 01/01 21:00
5F：→ jgwihi: TSV的via也是，用DRIE來蝕刻Trench,要放入其他component 01/01 21:04
6F：→ jgwihi: TSV之後會用到 01/01 21:06
7F：推 sianous: 要看選擇的氣體跟停止層金屬 01/01 21:07
8F：→ sianous: 機台應該不難找人，如AMAT 01/01 21:08
9F：→ jgwihi: 氣體用SF6蝕刻，C4F8鈍化，停止層的金屬待確認 01/01 21:09
10F：推 smartl: 蝕刻設備就屬TEL跟LRM兩家比較強。你講的是uniformity 的 01/01 23:02
11F：推 smartl: 問題。跟chemistry沒有絕對關係。high Vdc比較有機會達到 01/01 23:04
12F：→ smartl: 不過可能會衍生出loading的問題。 01/01 23:05
13F：推 toroandme: 小線寬si吃不動(約0.2um) 想問有其他方法嗎 01/01 23:57
14F：推 toroandme: 吃不用深 約0.2～0.5um 乾和ICP已是過 濕有晶向問題 01/02 00:00
15F：→ toroandme: 不知道有什麼方法 謝謝 01/02 00:01
16F：推 smartl: 小pitch吃不動有可能是polymer太重。蝕刻氣體選擇要注意。 01/02 20:01
17F：→ smartl: 如果使用比較depo的氣體 如C4F8 power就不要開太高。 01/02 20:02
18F：推 SkyLark2001: 原PO不介意可至MEMS版討論，我不清楚業界但可提供學 01/03 07:36
19F：→ SkyLark2001: 界經驗。至於t兄的問題，十之八九是黃光沒做好。 01/03 07:37
20F：→ jgwihi: 沒有找到MEMS版，請問版名是什麼呢？ 01/04 20:00
21F：推 youbi: 要求均勻性與under cut? 01/07 16:09