作者jgwihi ( )
看板Tech_Job
标题[讨论] 能蚀刻出高深宽比的DRIE设备
时间Thu Jan 1 20:16:37 2015
请问一下
DRIE(Deep Reactive Ion Etching，深反应式离子蚀刻)设备
它可以在矽基板蚀刻出具有高深宽比，及良好垂直侧壁
但如果想要在整片Wafer蚀刻出来的结果，深度要维持一致性
例如蚀刻深度要200μm，但整片wafer不同位置蚀刻的深度误差要控制在1μm以下
即199μm~201μm之间，目前做出来的结果不容易达到，
侧壁也能达到几乎接近90°
请问有什麽设备机台，或是有更高阶的设备，或产学单位可以达到这样的规格要求呢？
谢谢。
补充：或是有蚀刻设备的厂商也请提供。目前知道辛耘。
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1F：→ outzumin: ICP? lower pressure+higher plasma density 01/01 20:23
2F：推 deepee258: 3DIC吗？ 01/01 20:26
3F：→ jgwihi: ICP有用到SF6、 C4F8，DRIE用到SF6、 C4F8,3DIC或MEMS 01/01 20:31
※ 编辑: jgwihi (61.227.217.90), 01/01/2015 20:34:39
4F：推 lewecool: 你要咬tsv的via吗 01/01 21:00
5F：→ jgwihi: TSV的via也是，用DRIE来蚀刻Trench,要放入其他component 01/01 21:04
6F：→ jgwihi: TSV之後会用到 01/01 21:06
7F：推 sianous: 要看选择的气体跟停止层金属 01/01 21:07
8F：→ sianous: 机台应该不难找人，如AMAT 01/01 21:08
9F：→ jgwihi: 气体用SF6蚀刻，C4F8钝化，停止层的金属待确认 01/01 21:09
10F：推 smartl: 蚀刻设备就属TEL跟LRM两家比较强。你讲的是uniformity 的 01/01 23:02
11F：推 smartl: 问题。跟chemistry没有绝对关系。high Vdc比较有机会达到 01/01 23:04
12F：→ smartl: 不过可能会衍生出loading的问题。 01/01 23:05
13F：推 toroandme: 小线宽si吃不动(约0.2um) 想问有其他方法吗 01/01 23:57
14F：推 toroandme: 吃不用深 约0.2～0.5um 乾和ICP已是过 湿有晶向问题 01/02 00:00
15F：→ toroandme: 不知道有什麽方法 谢谢 01/02 00:01
16F：推 smartl: 小pitch吃不动有可能是polymer太重。蚀刻气体选择要注意。 01/02 20:01
17F：→ smartl: 如果使用比较depo的气体 如C4F8 power就不要开太高。 01/02 20:02
18F：推 SkyLark2001: 原PO不介意可至MEMS版讨论，我不清楚业界但可提供学 01/03 07:36
19F：→ SkyLark2001: 界经验。至於t兄的问题，十之八九是黄光没做好。 01/03 07:37
20F：→ jgwihi: 没有找到MEMS版，请问版名是什麽呢？ 01/04 20:00
21F：推 youbi: 要求均匀性与under cut? 01/07 16:09