https://zh.cn.nikkei.com/columnviewpoint/column/61782-2026-03-17-05-00-05.html 中國在「半導體奧運」持續躍進，美國陷入頹勢 日經BP精選 在半導體積體電路的研發領域，中國在持續崛起。在2026年2月於美國舉辦的國際 半導體會議「ISSCC 2026（國際固態電路會議）」上，來自中國的入選論文佔總數的近四 成（圖1）。曾坐擁近五成入選率的美國受英特爾業績低迷等因素影響，佔比跌破兩成。 以大學和研究機構的研究為主，中美兩國之間的實力天平已大幅向中國傾斜。 https://zh.cn.nikkei.com/images/2026/02/0228/0301-A-1-L.jpg ISSCC是半導體積體電路領域的頂級國際會議，被譽為半導體界的奧林匹克。受生成式 AI（人工智慧）運算能力需求擴大以及各國半導體振興政策的推動，ISSCC 2026的投稿論 文數量達到1025篇，同比增長12%，首次突破1000篇大關。最終入選論文257篇，入選率僅 25.1%，創歷史新低，競爭較往年更為激烈。入選論文中，8成來自大學和研究機構，2成 由企業提交。 投稿論文數量再創新高 ISSCC 2026的程式委員會於2025年11月27日在東京都內介紹了會議舉辦概要。亞 太區副主席、信州大學教授宮地幸祐表示：「投稿論文數量連續三年創下歷史新高，這一 趨勢並非曇花一現，中國的表現依舊亮眼」 包括香港和澳門在內，中國此次的入選論文為96篇，比上年增加4篇，佔全部入選論 文的37%。其中，清華大學以18篇的成績遙遙領先，早已成為ISSCC常客的北京大學、澳門 大學、復旦大學也躋身入選論文數量前列。 與之形成對比的是美國持續低迷。美國的入選論文數量為50篇，同比減少5篇，國 別佔比僅19%。2023年，中國首次在ISSCC入選論文數量上超越美國登頂，此後兩國間的差 距不斷拉大。此前常年有近10篇論文入選的英特爾此次僅4篇入選。宮地幸祐認為：「可 能是英特爾的低迷對整體産生影響」。 日本略有回升 日本入選論文數量同比增加4篇，達到12篇，呈現小幅回升態勢。 東京科學大學有3篇論文入選，東芝和瑞薩電子各有2篇入選。日本其他企業中， 索尼集團子公司索尼半導體解決方案、旭化成子公司旭化成電子也各有1篇論文入選。 從地區分佈來看，亞太地區（APAC，原遠東地區）的入選論文佔比達66%。美洲地區 （AM，原北美洲）佔比20%，創歷史新低。歐洲地區（EWAA，原歐盟）佔比14%，略有上升 。亞太地區中，台灣的入選論文數量同比減少9篇，降至11篇，歐洲地區中，義大利和荷 蘭的入選論文數量增加。 英偉達發佈光電融合技術 程式委員會還介紹了各技術領域的重點關注論文。在處理器相關領域，美國超微 半導體（AMD）面向AI的GPU（圖形處理半導體）「MI350」、南韓半導體新創企業 Rebellions的AI專用系統級半導體（SoC）備受關注。 https://zh.cn.nikkei.com/images/2026/02/0228/0301-A-3-L.jpg MI350是AMD為抗衡美國英偉達而推出的GPU，已於2025年下半年開始出貨。該産品將3nm的 運算半導體與6nm工藝的輸入輸出半導體進行三維堆疊，AI推理性能比上一代實現提升。 數字電路領域的重點關注論文之一是瑞薩電子為軟體定義汽車（SDV）研發的SoC 。採用3nm工藝技術和芯粒整合技術，實現了 400TOPS（每秒400萬億次運算）的AI處理性 能。這款SoC被命名為「第五代R-Car」系列，預計2027年實現量産出貨。 在圖像感測器領域，索尼半導體發佈單光子雪崩二極體（SPAD）方式的測距感測 器技術。該技術面向增強現實（AR）/虛擬現實（VR）終端，採用鍺（Ge）製作SPAD，實 際驗證了低功耗測距。 三星發佈HBM4 在記憶體領域，美國閃迪（Sandisk）和鎧俠繼上年之後，又發佈第十代三維NAND 記憶卡。堆疊332層存儲單元，採用4比特/單元的多值存儲技術，存儲容量達2TB的半導體 。存儲密度達到每平方毫米37.6Gbit，號稱行業最高。最早將於2026年開始量産。 在電源管理領域，東芝表現亮眼。該公司發佈兩篇論文，包括配備於純電動汽車的碳 化矽（SiC）功率半導體驅動IC（積體電路）等。 在有線通信領域，英偉達發佈將部分電氣電路替換為光電路的光電融合技術。將 7nm工藝的半導體積體電路與65nm工藝的光電轉換電路進行三維堆疊，成功驗證了單根光 纖每秒256Gbit的數據傳輸。 三星電子發佈的第六代高頻寬記憶體（HBM）「HBM4」也備受矚目。在面向生成AI 需求迅速擴大的HBM方面，三星此前落後於南韓SK海力士，而HBM4成為其發起反超的關鍵 技術産品。這是一款36GB産品，將12顆1c（10奈米級第六代）的動態隨機存取記憶體（ DRAM）半導體與4nm工藝的基底半導體（控制電路）進行三維堆疊。預計2026年量産 == 今年台灣投稿的數量也比較低一些， 不知道能不能也怪到國會齁? == --

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