https://zh.cn.nikkei.com/columnviewpoint/column/61782-2026-03-17-05-00-05.html 中国在「半导体奥运」持续跃进，美国陷入颓势 日经BP精选 在半导体积体电路的研发领域，中国在持续崛起。在2026年2月於美国举办的国际 半导体会议「ISSCC 2026（国际固态电路会议）」上，来自中国的入选论文占总数的近四 成（图1）。曾坐拥近五成入选率的美国受英特尔业绩低迷等因素影响，占比跌破两成。 以大学和研究机构的研究为主，中美两国之间的实力天平已大幅向中国倾斜。 https://zh.cn.nikkei.com/images/2026/02/0228/0301-A-1-L.jpg ISSCC是半导体积体电路领域的顶级国际会议，被誉为半导体界的奥林匹克。受生成式 AI（人工智慧）运算能力需求扩大以及各国半导体振兴政策的推动，ISSCC 2026的投稿论 文数量达到1025篇，同比增长12%，首次突破1000篇大关。最终入选论文257篇，入选率仅 25.1%，创历史新低，竞争较往年更为激烈。入选论文中，8成来自大学和研究机构，2成 由企业提交。 投稿论文数量再创新高 ISSCC 2026的程式委员会於2025年11月27日在东京都内介绍了会议举办概要。亚 太区副主席、信州大学教授宫地幸佑表示：「投稿论文数量连续三年创下历史新高，这一 趋势并非昙花一现，中国的表现依旧亮眼」 包括香港和澳门在内，中国此次的入选论文为96篇，比上年增加4篇，占全部入选论 文的37%。其中，清华大学以18篇的成绩遥遥领先，早已成为ISSCC常客的北京大学、澳门 大学、复旦大学也跻身入选论文数量前列。 与之形成对比的是美国持续低迷。美国的入选论文数量为50篇，同比减少5篇，国 别占比仅19%。2023年，中国首次在ISSCC入选论文数量上超越美国登顶，此後两国间的差 距不断拉大。此前常年有近10篇论文入选的英特尔此次仅4篇入选。宫地幸佑认为：「可 能是英特尔的低迷对整体産生影响」。 日本略有回升 日本入选论文数量同比增加4篇，达到12篇，呈现小幅回升态势。 东京科学大学有3篇论文入选，东芝和瑞萨电子各有2篇入选。日本其他企业中， 索尼集团子公司索尼半导体解决方案、旭化成子公司旭化成电子也各有1篇论文入选。 从地区分布来看，亚太地区（APAC，原远东地区）的入选论文占比达66%。美洲地区 （AM，原北美洲）占比20%，创历史新低。欧洲地区（EWAA，原欧盟）占比14%，略有上升 。亚太地区中，台湾的入选论文数量同比减少9篇，降至11篇，欧洲地区中，义大利和荷 兰的入选论文数量增加。 英伟达发布光电融合技术 程式委员会还介绍了各技术领域的重点关注论文。在处理器相关领域，美国超微 半导体（AMD）面向AI的GPU（图形处理半导体）「MI350」、南韩半导体新创企业 Rebellions的AI专用系统级半导体（SoC）备受关注。 https://zh.cn.nikkei.com/images/2026/02/0228/0301-A-3-L.jpg MI350是AMD为抗衡美国英伟达而推出的GPU，已於2025年下半年开始出货。该産品将3nm的 运算半导体与6nm工艺的输入输出半导体进行三维堆叠，AI推理性能比上一代实现提升。 数字电路领域的重点关注论文之一是瑞萨电子为软体定义汽车（SDV）研发的SoC 。采用3nm工艺技术和芯粒整合技术，实现了 400TOPS（每秒400万亿次运算）的AI处理性 能。这款SoC被命名为「第五代R-Car」系列，预计2027年实现量産出货。 在图像感测器领域，索尼半导体发布单光子雪崩二极体（SPAD）方式的测距感测 器技术。该技术面向增强现实（AR）/虚拟现实（VR）终端，采用锗（Ge）制作SPAD，实 际验证了低功耗测距。 三星发布HBM4 在记忆体领域，美国闪迪（Sandisk）和铠侠继上年之後，又发布第十代三维NAND 记忆卡。堆叠332层存储单元，采用4比特/单元的多值存储技术，存储容量达2TB的半导体 。存储密度达到每平方毫米37.6Gbit，号称行业最高。最早将於2026年开始量産。 在电源管理领域，东芝表现亮眼。该公司发布两篇论文，包括配备於纯电动汽车的碳 化矽（SiC）功率半导体驱动IC（积体电路）等。 在有线通信领域，英伟达发布将部分电气电路替换为光电路的光电融合技术。将 7nm工艺的半导体积体电路与65nm工艺的光电转换电路进行三维堆叠，成功验证了单根光 纤每秒256Gbit的数据传输。 三星电子发布的第六代高频宽记忆体（HBM）「HBM4」也备受瞩目。在面向生成AI 需求迅速扩大的HBM方面，三星此前落後於南韩SK海力士，而HBM4成为其发起反超的关键 技术産品。这是一款36GB産品，将12颗1c（10奈米级第六代）的动态随机存取记忆体（ DRAM）半导体与4nm工艺的基底半导体（控制电路）进行三维堆叠。预计2026年量産 == 今年台湾投稿的数量也比较低一些， 不知道能不能也怪到国会齁? == --

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