漢民科技捐贈研發設備協助交大在高頻微電子領域突破世界記錄 交大在「兆赫波高頻電子元件」之研發素來領先國際，2012年漢民科技捐贈予交通大學「 電子束直寫式微影設備」協助交大在高頻微電子領域繼續大幅邁進。藉由漢民科技捐贈之 先進微影設備，使得元件尺寸可大幅縮小至奈米尺度，在高頻元件研發上更是如虎添翼。 2013 年Applied Physics Express，世界著名的半導體期刊，刊登了由交大研發長張翼教 授所率領的研發團隊，參與成員亦包含元智大學許恒通教授及東京工業大學宮本恭幸教授 成功打破世界記錄，開發出世界最高Ft ~710GHz之砷化銦高電子遷移率電晶體(InAs High Electron Mobility Transistor，HEMT)。此世界級之高頻元件輸出性能已達兆赫波(THz )波段，其成功之關鍵即在運用漢民捐贈之先進微影設備以突破過去瓶頸，解決過去5年交 大在微影製程常需把半成品晶片遠送日本加工的問題，成功開發出60nm閘極尺寸以締造嘉 績。 此項技術未來將可應用於影像雷達、生醫檢測、高速傳輸、太空微測等領域。目前交大在 此高頻領域已利用此技術及儀器與日本Panasonic及美國Quinstar簽訂產學合作計畫，並 積極與其他國外廠商洽談多項合作，預計將為臺灣在此新興產業上帶來顯著效益。 --

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