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标题[宣传] 交大研发团队打破世界记录 开发完成710GH
时间Fri Apr 19 02:46:33 2013
汉民科技捐赠研发设备协助交大在高频微电子领域突破世界记录
交大在「兆赫波高频电子元件」之研发素来领先国际,2012年汉民科技捐赠予交通大学「
电子束直写式微影设备」协助交大在高频微电子领域继续大幅迈进。藉由汉民科技捐赠之
先进微影设备,使得元件尺寸可大幅缩小至奈米尺度,在高频元件研发上更是如虎添翼。
2013 年Applied Physics Express,世界着名的半导体期刊,刊登了由交大研发长张翼教
授所率领的研发团队,参与成员亦包含元智大学许恒通教授及东京工业大学宫本恭幸教授
成功打破世界记录,开发出世界最高Ft ~710GHz之砷化铟高电子迁移率电晶体(InAs High
Electron Mobility Transistor,HEMT)。此世界级之高频元件输出性能已达兆赫波(THz
)波段,其成功之关键即在运用汉民捐赠之先进微影设备以突破过去瓶颈,解决过去5年交
大在微影制程常需把半成品晶片远送日本加工的问题,成功开发出60nm闸极尺寸以缔造嘉
绩。
此项技术未来将可应用於影像雷达、生医检测、高速传输、太空微测等领域。目前交大在
此高频领域已利用此技术及仪器与日本Panasonic及美国Quinstar签订产学合作计画,并
积极与其他国外厂商洽谈多项合作,预计将为台湾在此新兴产业上带来显着效益。
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