汉民科技捐赠研发设备协助交大在高频微电子领域突破世界记录 交大在「兆赫波高频电子元件」之研发素来领先国际，2012年汉民科技捐赠予交通大学「 电子束直写式微影设备」协助交大在高频微电子领域继续大幅迈进。藉由汉民科技捐赠之 先进微影设备，使得元件尺寸可大幅缩小至奈米尺度，在高频元件研发上更是如虎添翼。 2013 年Applied Physics Express，世界着名的半导体期刊，刊登了由交大研发长张翼教 授所率领的研发团队，参与成员亦包含元智大学许恒通教授及东京工业大学宫本恭幸教授 成功打破世界记录，开发出世界最高Ft ~710GHz之砷化铟高电子迁移率电晶体(InAs High Electron Mobility Transistor，HEMT)。此世界级之高频元件输出性能已达兆赫波(THz )波段，其成功之关键即在运用汉民捐赠之先进微影设备以突破过去瓶颈，解决过去5年交 大在微影制程常需把半成品晶片远送日本加工的问题，成功开发出60nm闸极尺寸以缔造嘉 绩。 此项技术未来将可应用於影像雷达、生医检测、高速传输、太空微测等领域。目前交大在 此高频领域已利用此技术及仪器与日本Panasonic及美国Quinstar签订产学合作计画，并 积极与其他国外厂商洽谈多项合作，预计将为台湾在此新兴产业上带来显着效益。 --

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