※ [本文转录自 Electronics 看板] 作者: bmwfisher (大肠直长长) 站内: Electronics 标题: [问题] 奈米科技展之主题 时间: Sat Sep 12 23:42:27 2009 (((不好意思~请各位帮忙一下~从机电板转过来))) 各位好~想请问各位专有名词 这样翻是否正确 以及资讯是否正确~谢谢 以下是科展的主题~请各位帮忙~谢谢 -------------------------------------------- 1.郭瑞年主任 (国立清华大学/物理系) Realization of Ge and III-V MOSFET beyond Si CMOS ↑↑↑↑↑↑↑↑ 以上我翻为：了解 元素"锗"与第V-III族元素之MOSFET运用於Si CMOS制程 解释为：用Ge以及第V-III元素做MOSFET(金氧半场效电晶体)来用在积体电路制程上 问题： 1.为什麽III-V要反过来写? 2.CMOS前面为何要加Si(矽?)，是特地要指定矽晶圆? 3.MOSFET是算是一种方法? 而CMOS是一种完整制程? 2.刘致为教授 (国立台湾大学/电子工程学研究所) High Mobility Technologies and Physics ↑↑↑↑↑↑↑↑ 翻为：高流动性之技术与其物理特性 解释为：查了这位教授的研究领域 {应变矽／high K／金属闸．积体SiGe/Si OEIC和PA．CMOS光电元件．MOS可靠度．SOI技术 问题： 1.什麽流动性技术?是说电子间的流动? 3.徐嘉鸿副研究员 (国家同步辐射研究中心) Structural Characteristics of Nano-thick High-k Dielectrics Grown on Semiconductors ↑↑↑↑↑↑↑↑ 翻为：奈米级厚度的高介电材料之结构特性对半导体的影响 解译为：就是要探讨奈米厚度的半导体介电材料 问题： 1.Grown on是翻成影响还是磊晶呢? 2.Nani-thick应该是指厚度吧~或是其他意思? 3.所以这材料如果以厚度来说，它是粒子or膜or? 4.谢光宇 处长 (旺宏电子股份有限公司奈米科技研发中心) The Challenge and Recent Development of Non-Volatile Memory ↑↑↑↑↑↑↑↑ 翻为：挑战并创新非挥发性记忆体 解释为：旺宏是一家半导体商，所以要展示新型非挥发记忆体 问题： 非挥发性记忆体(Non-volatile memory)是指即使电源供应中断，记忆体所储存的资料 并不会消失，重新供电後，就能够读取内存资料的记忆体 1.快闪随身碟就是此类型，想问的是一般桌机用的DDR-RAM 是(volatile)类的，不是(Non-volatile)没错吧?-- 2.目前non-volatile多用於MP3随身听，FLASH记忆体等随身携带之产品是吗? 5.邱雅萍助理教授 (国立中山大学/物理系) Direct Observation of interface structure in epitaxial Gd2O3 on GaAs(100) by STM ↑↑↑↑↑↑↑↑ 翻为：用STM直接研究Gd2O3(氧化钆)附在GaAs(砷化镓?)上之介面结构 问题： 1.STM是指扫描穿遂电子显微镜(scanning tunneling microscope) 2.GaAs(100)中的100是指?? 向量? 晶格位置? 3.这可能是材料的问题，物理系也有做这一类研究的主要研究导向是? 6.黄懋霖博士 (国立清华大学/材料科学工程学系) Atomic layer deposited high k on InGaAs: surface passivation ↑↑↑↑↑↑↑↑ 翻为：原子层沉积(磊晶)於高相对介电系数之InGaAs(铟镓砷?)上做为保护层 OR 在InGaAs上沉积高介电材料原子层以做保护层(表面钝化) 问题： 1.InGaAs是指元素还是这是一个专有名词? 2.high k也是高介电材料的意思? --

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※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc) ◆ From: 59.105.33.201 ※ 编辑: bmwfisher 来自: 59.105.33.201 (09/12 23:53)