作者kriz (Encoded)
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标题Re: [材料] 有关X光结晶绕射
时间Mon Nov 2 22:08:33 2009
※ 引述《zxuloandy (尧)》之铭言:
: 如果用X光结晶绕射法观察两个不同尺度大小的样本
: 比如说观察奈米级(约50nm)particle的 Si powder 和观察一般尺寸大小(几mm)的 Si
: powder
: 这两种情况所得到的绕射图案有什麽差别啊,是不是用奈米级particle的 Si powder
: 比较好??
: 呵胡尘涤考到这个,想问大家,还是说这在课本上找的到啊哈哈??
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: ◆ From: 123.204.194.9
: → eggplantjack:绕射峰比较宽? 11/01 13:05
: 推 bla:nanoparticle会出现particle形成的平面绕射峰 (我乱讲的 = =) 11/01 19:56
: 推 afunism:nanoparticles由於结晶度较差导致绕射峰变宽 11/01 20:34
nanoparticle如果有anneal过....结晶性不一定比较差,要稍微注意一下,
没有anneal过的粉末,除了结晶性的问题,还要考虑到strain造成的绕射锋偏移,
如果是用磨出来的奈米粉末,这种问题会更明显,
可参考Elements of XRD by B.D. Cullity 的 Strain separation部分,
Williamson-Hall plot很清楚指出球磨产生的strain,与使用anneal移除strain的现象。
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◆ From: 114.36.13.183
1F:推 YJM1106:真不亏是搞陶瓷材料的,很清楚呢 11/03 01:40
2F:→ kriz:囧 被泄底了 11/03 12:43