作者carpfish (小鱼)
看板ChemEng
标题Re: [制程] sol-gel 作SiO2薄膜的厚度
时间Sat Jan 30 23:52:24 2010
※ 引述《wuchengyi (巫婆婆)》之铭言：
: 目前看到的sol-gel SiO2薄膜都接近100nm以上到几um，
: 想知道是否可以利用此法制作SiO2 的10nm薄膜？
不可能...
首先, sol-gel要制备薄膜通常都是利用spin-coating的方式,
利用提高转速来降低厚度, 可是转速提高到一定程度时,
膜就会很容易无法形成连续相, 也就是不能成膜,
此外, sol-gel process过程中solvent的挥发也会造成孔洞产生
所以sol-gel制备出来的膜多为孔洞膜, 若厚度不够根本无法成膜,
所以要制备超薄(100nm以下)的薄膜,
现在比较可靠的技术多还是利用PVD, CVD的方式达成
--
※ 发信站: 批踢踢实业坊(ptt.cc)
◆ From: 61.216.1.142
1F：推 yeh0906:我是有利用过dipping方式成膜过..我不确定有无10nm没量过 02/03 01:42
2F：→ yeh0906:但应该也有接近10nm..另外spin想成到这小的膜的话..应该 02/03 01:43
3F：推 yeh0906:solgel没办法达成吧..其他东西倒是有可能比10nm小..我曾经 02/03 01:47
4F：→ yeh0906:看过用spin甩有机类东西甩小於10nm 02/03 01:48